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Ag掺杂对新型SnO2压敏材料的电学性质的影响

王矜奉 , 陈洪存 , 王文新 , 苏文斌 , 臧国忠 , 亓鹏 , 王春明 , 赵春华 , 高建鲁

功能材料

烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2*6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验.当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.

关键词: 氧化银 , 二氧化锡 , 势垒 , 电学非线性

ZnO/P-Si接触及其温度特性

刘磁辉 , 刘秉策 , 马泽宇 , 段理 , 付竹西

功能材料

用射频磁控溅射在硅衬底上淀积ZnO薄膜,随后进行I-V-T测量.实验结果显示硅基氧化锌接触具有异质结特性,异质结的电流输运机制为热发射和电流隧穿.用I-V-T测量的结果拟合计算了势垒高度和理想因子,结果发现ZnO/P-Si势垒高度随温度降低而减小理想因子则升高.异质结的这种反常的随温度变化的关系可以用肖特基势垒不均匀性理论解释.样品经Air~800℃热退火后势垒高度与未退火相比上升,说明热退火改善了氧化锌薄膜的结晶质量,减少了界面态影响.

关键词: 氧化锌 , 异质结 , 势垒 , 温度特性

Ag/ZnO复合体系的介电特性研究

尹桂来 , 李建英 , 成鹏飞 , 李盛涛

稀有金属材料与工程

制备了银质量分数分别为1%、5%、7%、10%和20%的Ag/ZnO复合体系试样,测量其非线性特性和介电特性,研究不同银含量对试样电性能的影响.结果表明,样品的击穿场强随银含量的增大先增大后减小;根据介电频谱和温谱发现,在20℃、1 kHz时,样品的损耗随着银含量的增大而增大;样品的介电常数先减小后增大.从理论和样品的显微结构两个方面对其进行了解释.

关键词: 非线性 , Ag/ZnO复合体系 , 介电特性 , 势垒

碳纳米管场发射薄膜发射电流变化的理论分析

饶早英 , 王蜀霞 , 梁孝云 , 杨云青 , 胡慧君 , 牛君杰

材料导报

碳纳米管薄膜具有优于传统发射器件的场发射特征,但它的场发射电流曲线只在低场区与特征曲线符合较好,在高场区偏离特征曲线.讨论了热电子发射、量子隧穿导致的位相改变对发射电流的影响,分析了场发射电流、位相的变化,解释了高场区发射电流曲线偏离的原因.

关键词: 场发射 , 热电子发射 , 势垒 , 位相变化

BaTiO3基PTCR中晶界氧元素的作用分析

郑占申 , 曲远方 , 沈毅 , 胡林彦

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.02.012

采用柠檬酸盐溶胶-凝胶法制备出复合掺杂的BaTiO3粉体,然后成型烧结制备了PTCR试片.首先通过氩气气氛热处理试验,验证了氧能够有效地提高PTC效应,进而利用透射电镜对典型试片的晶界区和晶粒内部的元素成分进行能谱定量分析,表明晶界区的氧含量明显高于晶粒内部,甚至超过了施、受主含量的总和.分析了氧对晶界势垒的影响,用晶界层状氧吸附模型进行了解释.

关键词: 钛酸钡 , PTC效应 , 晶界 , 氧元素 , 势垒

Au/Ni/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN和Au/Pt/Al/Ti/AlxGa1-xN/GaN欧姆接触研究

周慧梅 , 沈波 , 陈敦军 , 陈堂胜 , 焦刚 , 郑有炓

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.010

研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au多层金属膜与未掺杂的Al0.22Ga0.78N/GaN(i-AlGaN/GaN) 异质结构之间的欧姆接触性质.在退火温度低于700 ℃时,两种接触样品上都不能得到欧姆接触.随着退火温度的升高,850 ℃快速退火后,在Ti/Al/Ni/Au 接触上获得了1.26×10-6 Ω*cm2的比接触电阻率,在Ti/Al/Pt/Au接触上获得了1.97×10-5 Ω*cm2的比接触电阻率.研究结果表明,金属与半导体接触界面和Al0.22Ga0.78N异质结构界面载流子沟道之间适当的势垒的存在对高质量欧姆接触的形成起重要作用,势垒的宽度取决于退火温度以及退火的具体进程.对Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au欧姆接触比接触电阻率的差异进行了解释.

关键词: Ⅲ族氮化物 , 欧姆接触 , 异质结构 , 势垒

三氧化钨陶瓷非线性伏安特性研究

花中秋 , 王海庆 , 赵洪旺 , 董亮 , 王豫

功能材料

采用传统陶瓷工艺制备了三氧化钨(WO3)陶瓷,研究了淬火工艺和气氛条件下热处理对WO3陶瓷非线性特性的影响.XRD和SEM微结构分析显示,陶瓷样品经不同气氛下的热处理后,微结构特征没有发生变化;电学测量表明,陶瓷样品的电学特性发生了显著的变化,高温下淬火和淬火后在N2,Ar气氛条件处理的样品,表现出线性小电阻行为,而正常烧结和在富氧条件下处理的淬火样品则呈现出明显的非线性行为.根据实验结果认为,WO3陶瓷非线性特性可能起源于陶瓷冷却过程中,晶粒内外非平衡缺陷形成和迁移而产生的晶界势垒.

关键词: WO3陶瓷 , 非线性 , 势垒

p+-n--n结的势垒分布

赵普琴 , 杨锡震 , 李桂英 , 王亚非

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.010

GaP∶N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。根据载流子分布的连续性,由泊松方程自洽求解,得出了半导体n--n结势垒分布的计算方法。在此基础上,计入n-区内的电位降,计算了商用发光二极管p+-n--n结构的势垒分布,为整体结构的参数优化准备了必要的条件。

关键词: 磷化镓 , 发光二极管 , 势垒

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