臧国忠
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王矜奉
,
陈洪存
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苏文斌
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王文新
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亓鹏
,
王春明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.018
研究了Cr对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏材料电学性质的影响.当Cr2O3的含量从0增加到0.15mol%时,(Co,Ta)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从206V/mm增加到493V/mm;1kHz时的相对介电常数从1968猛降至498;晶界势垒高度分析表明,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是样品击穿电压增高、相对介电常数急剧降低和电阻率迅速增大的主要原因.对Cr含量增加引起SnO2晶粒减小的原因进行了解释.掺杂0.15mol% Cr2O3的SnO2压敏电阻非线性系数为24,击穿电压达498V/mm,在高压保护领域有很好的应用前景.
关键词:
压敏电阻
,
二氧化锡
,
势垒高度
,
非线性系数
杨升
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闵嘉华
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梁小燕
,
张继军
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邢晓兵
,
段磊
,
时彬彬
,
孟华
人工晶体学报
通过对p型CdZnTe(111)面的结构分析,用真空蒸发法在p型CdZnTe晶体(111)面制备出Au/Zn复合电极,运用金相显微镜、AFM测试、SEM剖面观察、EDS成分分析、Ⅰ-Ⅴ特性测试及势垒高度计算等多种手段研究了Au/Zn复合电极对金属和半导体接触性能的影响.结果表明,在P型CdZnTe(111)A面蒸镀Au电极,在B面蒸镀Au/Zn复合电极时获得的势垒高度最低,有效减小了富Te面对金半接触的影响.Au/Zn复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能.
关键词:
CdZnTe
,
复合电级
,
金半接触
,
势垒高度
孟凡明
功能材料
基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷.通过复阻抗特性、晶粒电阻、晶界电阻、压敏电压、非线性系数及势垒高度的测定,研究埋烧与裸烧工艺对TiO2陶瓷的半导化以及电学非线性特性的影响.结果表明,采取粉料埋烧有利于晶粒半导化,降低压敏电压.
关键词:
TiO2压敏陶瓷
,
压敏电压
,
非线性系数
,
半导化
,
势垒高度
