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L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究

曹亚超 , 李明伟 , 潘翠连 , 朱廷霞 , 尹华伟 , 程旻

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.11.013

通过对 L-丙氨酸掺杂下 ZTS(100)、(010)及(001)面法向生长速度的研究发现，各晶面法向生长速度随过饱和度的增加而线性增加；随掺杂浓度的增加，(100)面的法向生长速度先增大后减小，而(010)及(001)面的法向生长速度先减小，接着增大，然后又减小。分析表明(100)面以位错生长机制为主，(010)及(001)面以连续生长机制为主。利用光学显微镜在侵蚀后的(100)面观察到矩形位错蚀坑，蚀坑密度为33~308 mm-2；掺杂浓度为1％(摩尔分数)时，蚀坑密度最小。

关键词: ZTS晶体 , 法向生长速度 , 动力学 , L-丙氨酸 , 化学侵蚀法