孙红婵
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李树奎
,
侯岳翔
,
鲁旭东
,
郭伟
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.06.020
为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对品界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验.结果表明:CVD-W具有显著的<001>晶粒择优取向,晶界呈现Σ3、Σ5等低重合位置点阵的晶界结构特征,其中∑3具有最高的出现频率;其高应变下的屈服应力明显低于其他制备方法获得的纯钨材料.研究认为由于CVD-W在界面上具有较多的重合位置,晶界处晶格吻合较好,畸变程度低,界面能较低,而且由于低ΣCSL晶界特点,晶界多是由位错构成的;另外晶粒的择优取向使品粒间在较低的应力下协调形变,因此CVD-W在较低的应力下即可发生塑性形变.
关键词:
化学气相沉积纯钨
,
晶界结构
,
重合位置点阵
,
晶粒择优取向
