董少光
,
李炳乾
材料导报
确定了InN材料的带隙值并研究了影响InN材料带隙变化的导带电学结构和几个关键因素,以解释当前用不同方法生长不同质量的InN材料时出现的各种不同带隙值.用光致发光、光吸收和光调制反射方法测量确定InN材料的带隙值约为0.7eV;探讨了InN材料带隙与温度的函数关系,并分析了影响InN材料带隙的导带电学结构和有关因素.影响InN材料带隙的主要因素有Moss-Burstein效应、深能级俘获现象以及N:In化学计量比等,得出在不同质量样品和不同生长条件下,3种因素均影响InN材料的带隙值,但所起的作用却不尽相同.
关键词:
InN材料
,
带隙
,
Moss-Burstein效应
,
深能级
,
化学计量
张国建
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吴义伯
,
刘春佳
,
罗学涛
材料导报
综述了聚碳硅烷制备近化学计量比SiC纤维的研究进展,总结了H2在PCS纤维裂解过程中的作用机理,比较了纯H2气氛、分阶段不同气氛、全过程H2/Ar混合气氛条件下得到的SiC纤维的组成和性能变化规律.纯H2气氛800℃以上保温4h,可得到近化学计量比SiC纤维;分阶段气氛下,气氛转换温度为800℃,烧结至1300℃保温1h,可得到近化学计量比SiC纤维;混合气氛下,氢气浓度为60%左右,烧结至1300℃保温1h,可得到近化学计量比SiC纤维.在这些气氛条件下得到的近化学计量比SiC纤维,烧结后的高温力学性能均优于非化学计量比SiC纤维.
关键词:
SiC纤维
,
化学计量
,
C/Si原子比
,
热解
邱继军
,
靳正国
,
钱进文
稀有金属材料与工程
采用离子层气相反应法(ILGAR)法,以CuCl、InCl3为原料,C2H5OH为溶剂,H2S为硫源在常温下合成了CuInS2薄膜,建立了前驱体溶液中[Cu]/[In]比与薄膜化学计量之间的关系.利用X-ray光电子能谱仪(XPS),X-ray衍射仪(XRD)、扫描电镜(S EM)、可见-紫外分光光度计(UV-Vis)和霍尔测试系统(HALL)等技术表征了不同化学计量下CIS薄膜的相组成、结构形貌、薄膜生长、光学和电学性质.试验表明,薄膜中Cu/In与溶液中[Cu]/[In]呈线性变化,并伴随有立方闪锌矿结构→黄铜矿结构晶型转变过程;当0.94≤Cu/In≤1.27时,测定出CIS薄膜为单相,表面较致密、均匀、附着性好;薄膜的光吸收系数高于104 cm-1,禁带宽度Eg在1.27 eV～1.35 eV之间,表面暗电阻随Cu/In的增加从102Ω·cm降为10-1 Ω.cm,载流子浓度在1016cm-3～1017cm-3.
关键词:
CIS薄膜
,
ILGAR法制备
,
化学计量
