高玉强
,
彭燕
,
李娟
,
陈秀芳
,
胡小波
,
徐现刚
,
蒋民华
人工晶体学报
本文以升华法实现了以(10(1)5)面为籽晶的6H-SiC单晶扩径生长,获得最大直径达33 mm的6H-SiC单晶.采用光学显微镜观察晶体纵切片,发现源于包裹体的沿生长方向延伸的微管发生转弯现象,转向后在(0001)面内延伸,同时籽晶内沿c轴延伸的微管也终止于生长界面.通过光学显微镜观察单晶生长表面形貌,发现(101n)面生长,随着n的增大层错密度逐渐减小,这与横切片的腐蚀结果相对应;随着微管的终止和层错的减少得到了无微管的高质量单晶区.
关键词:
升华法
,
SiC单晶
,
微管
,
层错
姜守振
,
黄先荣
,
胡小波
,
李娟
,
陈秀芳
,
王英民
,
宁丽娜
,
徐现刚
,
蒋民华
功能材料
利用同步辐射X射线形貌术对升华法生长的6H-SiC(0001)晶片中的小角晶界与微管缺陷进行了研究.小角晶界在同步辐射中的形貌成直线沿〈11- 00〉方向分布.根据螺位错附近的应变场和衍射几何,模拟了基本Burgers矢量大小的螺位错在同步辐射形貌像中的衍衬像,模拟结果与实验结果符合较好.据此指认了基本螺位错,并确定了微管Burgers矢量的大小.
关键词:
同步辐射背反射白光形貌术
,
小角度晶界
,
微管
,
SiC
,
升华法
姜守振
,
李娟
,
陈秀芳
,
王英民
,
宁丽娜
,
于光伟
,
胡小波
,
徐现刚
,
王继杨
,
蒋民华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.010
本文在背景Ar气压力为8×104Pa、温度为1800～2000℃的条件下,对升华法生长SiC单晶的籽晶进行了原位退火处理,利用原子力显微镜和光学显微镜对退火后的6H-SiC晶片表面进行了观察,研究了退火温度和时间对晶片表面的影响.发现经过退火处理后的籽晶表面存在规则的生长台阶,有助于侧面生长模式的发展,进一步有助于台阶流生长模式的发展.通过对籽晶的退火处理,降低了螺旋生长中心的密度,从而减少多型夹杂、小角度晶界和微管等缺陷的出现,提高了晶体质量.
关键词:
升华法
,
SiC
,
退火
李娟
,
胡小波
,
姜守振
,
陈秀芳
,
李现祥
,
王丽
,
徐现刚
,
王继扬
,
蒋民华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.041
AlN是一种重要的半导体材料,由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优越的特性,在微电子和光电子领域具有广泛的应用前景.本文综述了国际上AlN单晶生长的研究进展,对其结构特点、生长方法的选择、生长过程中的问题及存在的结构缺陷等方面进行了介绍.
关键词:
氮化铝
,
升华法
,
坩埚材料
