栾庆彬
,
皮孝东
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.001
以非晶硅薄膜为核心的薄膜晶体管技术目前已经相当成熟,在该技术投入使用并且得以很好地优化之后,要想进一步提高薄膜晶体管的性能,就有必要开发新型的薄膜材料.近年来,由半导体纳米晶体构成的新型薄膜材料在晶体管中的应用越来越受到人们关注.利用半导体纳米晶体制备的薄膜晶体管有着较高的载流子迁移率和开关电流比,...
关键词:
薄膜晶体管
,
有源层
,
半导体
,
纳米晶体
,
硒化镉
,
碲化汞
,
硒化铅
,
锗
,
硅
何金江
,
陈明
,
朱晓光
,
罗俊锋
,
尚再艳
,
贺昕
,
熊晓东
贵金属
高纯 Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体 PVD 工艺制程中的溅射源材料，广泛用于半导体制造工艺中，成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备（金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等）以及贵金属靶材残靶及加工余料残...
关键词:
金属材料
,
半导体
,
溅射靶材
,
高纯
,
金
,
银
,
铂
,
钌
王勇
,
张远明
,
陈云飞
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.02.002
介绍了以次磷酸钠为还原剂、硫酸镍为再活化剂的半导体N型硅表面化学镀铜工艺及其前处理.探讨了镀液中铜盐含量、还原剂含量、pH及温度对沉积速率的影响.确定了化学镀铜最佳工艺条件:0.15 mol/L CuSO4 · 5H2O,0.03 mol/L NiSO4 · 6H2O ,0.75 mol/L NaH...
关键词:
半导体
,
N 型硅
,
化学镀铜
,
再活化剂
,
沉积速率
,
表面形貌
,
接触电阻
尚静
,
朱永法
,
徐自力
,
井立强
,
杜尧国
催化学报
制备了三种n-型半导体氧化物TiO2,ZnO和Fe2O3纳米粒子,用X射线衍射和N2吸附技术分别对它们的结构及比表面积进行了表征. 考察了三种氧化物粒子对庚烷的气相光催化氧化反应的催化活性. 研究表明,对于同种催化剂,随着焙烧温度的升高,催化剂的粒径增大,比表面积减小,光催化活性下降. 三种催化剂纳...
关键词:
二氧化钛
,
氧化锌
,
三氧化二铁
,
庚烷
,
光催化氧化
,
纳米粒子
,
半导体
刘渝萍
,
宋卫华
,
陈昌国
,
尹玲
,
郭朝中
材料保护
为了进一步弄清AZ31镁合金阳极氧化膜在NaCl溶液中的腐蚀机制,采用极化曲线、电容测量技术,基于半导体电化学方法研究了其在3.5 ％NaCl溶液中耐蚀性能与其半导体特性的关系,得到不同浸泡时间下的载流子浓度以及平带电位.结果表明:镁合金阳极氧化膜为N型半导体,随浸泡时间的增加,载流子浓度呈上升趋势...
关键词:
阳极氧化
,
AZ31镁合金
,
半导体
,
电容测量技术
,
极化曲线
,
NaCl溶液
,
腐蚀机制
宋词
,
杭寅
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.018
基于ZnO的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体ZnO材料的新的研究热潮.ZnO以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对ZnO单晶的研究有重要的理论和实践意义.目前生长ZnO的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的ZnO单晶的尺寸和质量都有待于提高.
关键词:
氧化锌
,
晶体生长
,
半导体
,
水热法
,
助熔剂法
,
气相法
,
坩埚下降法
王德法
,
刘乐全
,
欧阳述昕
,
叶金花
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2017.01.01
通过人工光合成技术把二氧化碳转换成碳氢化合物燃料,是人类梦寐以求的一种太阳能化学转化和利用的理想技术,近年来受到科学界和工业界越来越广泛的关注.从以下3个技术途径综述了近年来基于半导体和纳米金属的宽光谱响应高效人工光合成材料体系的构建与应用:①从人工光合成热力学条件出发,基于半导体能带工程设计制备新...
关键词:
综述
,
人工光合成
,
半导体
,
能带工程
,
纳米金属
,
等离子体共振效应
,
光热效应
潘珺怡
,
周涵
材料导报
从半导体光催化剂全分解水反应原理出发,介绍了近年来新开发的无机半导体光催化剂,如钽酸盐半导体,Ge基半导体、Ga基半导体,层状金属氧化物,具有d0、d10电子构型的半导体和Z型反应体系,分析了光催化效率的影响因素,并对未来做出了展望.
关键词:
半导体
,
全分解水
,
Z型反应体系
,
光催化效率
