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原词结果 | 译词结果

键合金丝的合金化研究动向

朱建国

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2002.03.013

根据最新的专利文献综述了高弧度、低弧度、高强度键合金丝的发展现状,介绍了微量添加元素的作用和Au-Cu-Ca、Au-Ag、Au-Ni、Au-Sn(In)、Au-Pt(Pd)等合金化键合金丝的研究动向,以及键合金丝的微量添加元素复合化、组成合金化、加工细线化、低成本化的发展趋势.

关键词: 键合金丝 , 半导体器件 , 性能 , 组成

GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用

王三胜 , 顾彪 , 徐茵 , 秦福文 , 窦宝锋 , 杨大智

材料导报

GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二板管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景.介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势.

关键词: GaN , 外延生长 , 掺杂 , 半导体器件

半导体器件引线框架材料的现状与发展

邬震泰

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.03.026

本文评述了半导体器件引线框架材料国内外研究开发的现状,对引线框架材料性能和材料设计进行了分析,并讨论了随着计算机和信息工业的迅猛发展,引线框架材料今后的发展趋势.

关键词: 引线框架材料 , 半导体器件 , 材料设计

高能质子引起器件单粒子效应的研究方法

刘杰 , 侯明东 , 张庆祥 , 甑红楼 , 孙友梅 , 刘昌龙 , 王志光 , 朱智勇 , 金运范

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.04.010

简略介绍了高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法, 包括核反应分析方法、半经验方法, 介绍了质子和重离子翻转截面间的关系, 并用重离子实验数据预测器件在质子环境下的翻转率.

关键词: 单粒子效应 , 质子 , 半导体器件

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