杨吟野
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谢泉
材料科学与工程学报
使用射频磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,在Si(100)衬底上,分别沉积不同厚度的Ca膜.随后,800℃真空退火45分钟、1小时和1.5小时.半导体钙硅化物,即立方相的Ca2Si膜和简单正交相的Ca2Si膜首次、单独、直接生长在Si(100)衬底上.实验结果指明在多相共生的Ca-Si化合物中,Ca膜的沉积厚度,因溅射而生长的Ca-Si化合物的生长厚度决定了某一个单相的钙硅化物独立的生长.另外,退火温度为800℃时,有利于单相钙硅化物的独立生长.并且,退火时间也是关键因素.
关键词:
Ca2Si
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晶核形成
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半导体硅化物
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退火
,
磁控溅射
