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激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布

屠海令 , 张峰翊 , 王永鸿 , 钱嘉裕 , 马碧春

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.06.013

采用非接触式激光/微波光电导衰减技术 (LM-PCD) 对Φ50.8 mm双面抛光的半绝缘GaAs晶片的复合寿命进行了无损伤检测, 得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线. 结果表明, 复合寿命为几百纳秒, 在径向呈"M"型分布, 和半绝缘GaAs晶片中EPD的"W"型分布相反. 在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上, 对GaAs晶片的寿命进行了讨论.

关键词: 复合寿命 , 半绝缘GaAs , 激光/微波光电导衰减

半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响

张绵 , 王云生 , 李岚 , 白锡巍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.017

在无光照条件下测量背栅时,部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡.对振荡特性进行了初步研究,并观察了振荡对GaAsMESFET噪声性能的影响.实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时,其噪声性能也有差别.

关键词: 半绝缘GaAs , 低频振荡 , 噪声

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