郑玉荣
,
吴新年
,
王晓民
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.03.07
核心专利在一个专利群中处于节点和纽带的地位,是产业经济的核心.在调研大量国内外Ni基高温合金生产技术、合金产品、主要生产企业的基础上,通过常规选择方法、重要Ni基高温合金牌号对应的专利技术、重要生产技术对应的专利技术等方法选择了Ni基高温合金的核心专利技术.通过相关分析方法探讨了Ni基高温合金核心技术的主要分布区域、主要技术分布方向、核心技术的拥有企业、重点制备工艺等,绘制了Ni基高温合金核心技术及其产品的演进图谱,重点分析了Ni基高温合金制备技术、热障涂层技术、热处理技术、激光熔覆技术、合金修复技术等核心技术及其应用情况.在此基础上,对重点跟踪的企业以及他们的核心技术演进进行了探讨,并分析总结了近年来Ni基高温合金核心技术的研发方向.
关键词:
Ni基高温合金
,
核心技术
,
演进图谱
,
单晶
,
激光熔覆
,
热障涂层
,
铂族金属
鲁圣国
,
唐新桂
,
伍尚华
,
ZHANG Qi-Ming
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13310
电卡效应在实现高效率和小尺寸的固态制冷器件方面具有巨大的潜力.本文介绍了获得大电卡效应的热力学原理,评述了近年来电卡效应的实验表征工作,发展了一种直接测量电卡效应熵变或温度变化的方法.结果表明:驰豫型铁电体聚合物和一级相变聚合物材料表现出较大的电卡效应.综合最近在BaTiO3单晶和多层陶瓷电容器的工作,以及铁电制冷器件的尝试,电卡效应表现出诱人的应用前景.
关键词:
铁电材料
,
单晶
,
陶瓷
,
聚合物
,
电卡效应
,
制冷器件
,
综述
王媛玉
,
吴家刚
,
吴浪
,
李香
,
冯斌
,
廖运文
,
朱建国
,
肖定全
材料导报
钪酸铋基压电材料因其优异的性能及高的居里温度,近年来受到各国学者的极大关注.结合近年来有关高温压电材料(居里温度Tc>400℃)的研究,归纳并分析了钪酸铋基高温压电材料的研究与进展,着重介绍了钪酸铋基高温压电材料的主要体系和制备方法,以及这些体系的压电铁电性能;此外,还对钪酸铋基高温压电材料今后的研究和发展提出了一些建议.
关键词:
高温压电材料
,
钪酸铋基
,
单晶
,
陶瓷
,
薄膜
王乐酉
,
朱明
,
毛协民
,
李重河
,
范荣辉
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.03.005
在自行设计的高温度梯度定向凝固装置中, 采用改进后的Bridgeman法, 用特制的引晶器, 成功拉制出Ti-50.8%Ni形状记忆合金单晶.做了结构和组织的观察, 并使用DSC, SEM, XRD等方法对其相变及记忆性能等进行相应的分析研究.结果表明: 这种钛镍形状记忆合金具有柱状单晶显微组织特征, 消除了横向晶界; 塑性加工性能、记忆稳定性、冷热循环次数均有较大提高.
关键词:
单晶
,
定向凝固
,
TiNi
,
形状记忆合金
林晓棋
,
满卫东
,
张玮
,
吕继磊
,
江南
硬质合金
doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2013.10.009
单晶金刚石具有诸多多晶金刚石所无法替代的优良性能,是新世纪高端技术领域发展所需的重要材料.随着技术的不断改进,MPCVD法合成单晶金刚石的生长速率、质量和尺寸都有了很大的提高.目前,应用最新的MPCVD技术合成的单晶金刚石,其最高生长速率达到200 μm/h,合成尺寸达到英寸级,为单晶金刚石在超精密加工、光学元器件、半导体、探测器等高技术领域的应用提供了有力的支撑.本文主要综述了进入二十一世纪以来,MPCVD单晶金刚石的研究进展,并对其应用作简单的介绍.
关键词:
MPCVD
,
金刚石
,
单晶
,
lift-off
,
马赛克
杨海波
,
李伟
,
单爱党
,
吴建生
中国有色金属学报
电弧熔炼制备的(Mo0.85Nb0.15)Si2合金为MoSi2(C11b结构)和NbSi2(C40结构)两相组织.以电弧熔炼得到的合金为母合金,通过光学悬浮区域熔炼法,选择适当的生长速度4 mm/h制备了(Mo0.85Nb0.15)Si2单晶,单晶结构为C40结构.对单晶在1 200~1 700℃进行不同时间的退火处理.研究了不同热处理制度对合金显微结构的影响规律.结果表明:经1 600℃,6 h退火处理后,在合金中形成了排列紧密、方向取向相同的全片层状结构,片层间距为200~300 nm.经EDS分析,这种片层结构由贫Nb的C11b相和富Nb的C40相组成.
关键词:
Mo-Si系
,
单晶
,
金属间化合物
,
退火
,
显微结构
尹玲娣
,
田素贵
,
张禄廷
,
刘宝柱
,
洪鹤
,
徐永波
,
胡壮麒
钢铁研究学报
通过计算合金元素的扩散迁移率和EDAX分分析,研究了γ'相筏形化过程中元素的扩散规律.结果表明:分配比值大的合金元素,扩散迁移率较大;分配比值小的合金元素,扩散迁移率较小.由于W元素具有较大的原子半径,较小的分配比值和扩散系数,因而相对稳定.所以W元素可阻碍其它元素的扩散速率,随其含量的增加,合金中γ'相筏形化时间延长.
关键词:
单晶
,
镍基高温合金
,
γ'相
,
定向粗化
,
扩散
,
迁移率
赖占平
,
齐德格
,
高瑞良
,
杜庚娜
,
刘晏凤
,
周春锋
,
高峰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.003
采用高压LEC工艺生长3inch掺Si GaAs单晶,掺杂浓度大于1×1018/cm3,晶体位错密度小于1×104/cm2.实验发现,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶.而实际掺杂量应为理论计算值的4倍以上.
关键词:
GaAs
,
单晶
,
掺杂
,
LEC