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SiC单晶生长研究进展

陈之战 , 施尔畏 , 肖兵 , 庄击勇

材料导报

SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注.本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT法进行了详细介绍,讨论了原料、籽晶、温度、温度梯度、载体气压对单晶生长和质量的影响.对今后的研究方向提出了看法.

关键词: SiC , 单晶生 , 长PVT法