赵北君
,
朱世富
,
李正辉
,
傅师申
,
于丰亮
,
李奇峰
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.003
本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法--熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法.5～6N高纯Ag、Ga、Se单质按AgGaSe2化学配比富0.5%Se配料,1100℃下合成并在熔点附近进行温度振荡,获得了高纯单相致密的AgGaSe2多晶材料.用合成的多晶为原料,采用坩埚旋转下降法生长出φ22×80mm的AgGaSe2单晶锭.晶体外观完整,在10.6μm附近红外透过率达62.4%,吸收系数低于0.01cm-1,对10.6μm CO2激光实现倍频,能量转换效率达12%.
关键词:
非线性光学晶体
,
硒镓银
,
多晶合成
,
单晶生长
,
熔体温度振荡
,
坩埚旋转下降法
张伟
,
朱世富
,
赵北君
,
张建军
,
刘敏文
,
李一春
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.027
在同一安瓿中一次性合成、生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体,尺寸达φ10mm×20mm.并进行了X射线能谱元素分析,测定了AgGaS2多晶粉末衍射谱,以及单晶体的红外透射谱,同时得到了(112)、(024)面的X射线单晶衍射谱,结果表明生长的单晶体可用于器件研究.
关键词:
硫镓银
,
多晶合成
,
单晶生长
,
坩埚下降法
胡旭波
,
赵学洋
,
魏冉
,
王敏刚
,
向军涛
,
陈红兵
人工晶体学报
以CdO和MoO3粉料为初始试剂,通过高温固相烧结合成CdMoO4多晶料,采用坩埚下降法生长出尺寸达φ25 mm×130mm的透明完整CdMoO4单晶;应用DSC、XRD对所获单晶进行了结晶相和热性能表征,测试了单晶的紫外可见透射光谱、紫外光激发发射光谱及其发光衰减时间.结果表明,CdMoO4单晶具有良好的一致熔融析晶特性,采用坩埚下降法较易于生长出大尺寸单晶;该单晶在吸收截止边375 nm以上波长具有良好光学透过性,在300 nm紫外光激发作用下,测得该单晶具有525 nm左右峰值波长的荧光发射,其发光衰减时间为804 ～ 1054 ns.该单晶经氧气氛高温处理呈现出明显的退火消色效应,即经1000℃以上温度的氧气氛退火处理,可使晶体的光学透过性得以明显改善,其荧光发射强度显著增强.
关键词:
钼酸镉
,
单晶生长
,
坩埚下降法
,
光谱性能
,
退火效应
王立苗
,
赵北君
,
朱世富
,
唐世红
,
何知宇
,
肖怀安
人工晶体学报
Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景.本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30 ℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体.生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析,显示出(200)晶面尖锐的X射线衍射峰和规则的方形蚀坑,表明生长的晶体结构完整.
关键词:
铜
,
单晶生长
,
垂直布里奇曼法
,
蚀坑观察
朱兴华
,
赵北君
,
朱世富
,
金应荣
,
赵欣
,
杨晓龙
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.006
本文以高纯Pb、I2单质为原料,在特殊设计的密闭石英安瓿中,采用两温区气相输运方法成功合成出PbI2多晶原料,避免了安瓿的爆炸.以此为原料,用垂直Bridgman法生长出尺寸为φ15mm×30mm的PbI2单晶锭.该晶锭外观完整、呈橙黄色、半透明状,其电阻率为1010Ω·cm量级,X射线衍射分析获得了(001)面的四级衍射谱,表明该晶体是结构完整的单晶体,可用于探测器的制作.
关键词:
PbI2
,
多晶合成
,
两温区气相输运方法
,
单晶生长
,
垂直Bridgman法
宁红霞
,
许东
,
吕孟凯
,
袁多荣
,
王新强
,
张光辉
,
程秀凤
,
杨兆荷
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.008
硫氰酸锌镉(ZnCd(SCN)4),简称ZCTC,是自行研发的一种蓝紫光倍频晶体.通过恒温蒸发溶液来生长ZCTC晶体,测量了KSCN和ZCTC溶液的透过率曲线,发现SCN-基团是影响ZCTC晶体紫外截止波长的主要因素.研究还发现ZCTC晶体(100)面的透过率要高于(001)面,通过化学镀膜可以减少晶体表面反射损耗.ZCTC晶体经180oC,24h烘烤后,在300-800nm之间透过率明显下降.
关键词:
硫氰酸锌镉
,
蓝紫光倍频晶体
,
单晶生长
,
透过光谱
,
增透膜
徐义库
,
刘林
,
张军
,
材料热处理学报
采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶.通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃.和其它R2PdSi3型化合物(R为稀土元素)不同,在单晶基体中没有发现TbSi沉淀,分析原因可能是因为晶体中Tb含量略高于化学计量比.采用X射线Laue背散射实验对晶体的晶格结构和高完整性进行了验证,并对定向单晶的a和c方向磁化率-温度曲线进行了测定.
关键词:
悬浮区熔
,
单晶生长
,
稀土化合物
,
磁性能
陈宝军
,
朱世富
,
赵北君
,
张建军
,
张伟
,
刘敏文
,
李一春
,
刘娟
,
黎明
功能材料
根据AgGaS2晶体的生长习性,分析了AgGaS2晶体生长对生长炉温场的要求,设计了三温区的生长炉,并对其温场进行了测试实验.在测试结果中选择较好的温场进行AgGaS2晶体生长,得到了外形较完整、品质较高的晶体.
关键词:
硫镓银晶体
,
单晶生长
,
B-S法
,
温场设计
邱春丽
,
赵北君
,
朱世富
,
王智贤
,
李新磊
,
何知宇
,
陈宝军
,
唐世红
功能材料
CdZnTe晶体是一种性能优畀的室温核辐射探测器材料.在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中,生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性能有很大影响.根据CdZnTe晶体的生长习性,设计了三温区单晶炉,用坩埚下降法生长出CdZnTe单晶体.通过X射线衍射、红外透过率、I-V测试等分析研究,得到了红外透过率约为61%,腐蚀蚀坑密度(EPD)为104 cm-2,电阻率为109～1010 Ω·cm的Cd0.9 Zn0.1 Te单晶体.表明三温区坩埚下降法生长的单晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.
关键词:
CdZnTe
,
单晶生长
,
坩埚下降法
,
三温区
王永政
,
李静
,
王继扬
,
韩树娟
,
郭永解
,
赵兰玲
,
张洋
人工晶体学报
采用助熔剂自发成核法,以Li2CO3-2MoO3为助熔剂,生长出了Yb∶ NdPO4晶体.通过X射线粉末衍射和X射线能谱技术对所得的晶体进行了表征.结果表明,少量Yb3+掺入到了NdPO4晶体中,但并未改变NdPO4晶体的晶格结构.比较了Yb∶ NdPO4晶体和NdPO4晶体室温下的透过光谱.测量了室温下晶体的荧光光谱,泵浦光波长为332 nm.结果表明晶体的最强荧光发射峰位于995nm,归属于Yb3+从激发态2F5/2到基态2F7/2的电子跃迁.1059nm的发射峰归属于Nd3+从4 F3/2到4I11/2的电子跃迁.Nd3+的发射峰强度较弱,表明在室温下晶体中主要发生了Nd3+ →Yb3的能量传递.
关键词:
高钕浓度晶体
,
助熔剂法
,
单晶生长
,
光谱
