吴文娟
,
张松
,
韩培育
,
覃榆森
,
季静佳
,
顾晓峰
,
李果华
人工晶体学报
太阳电池单晶Si片表面制绒已是一项成熟的工艺,但普遍制绒时间较长.为提高制绒效率,本课题研究了较短时间内NaOH/ 异丙醇(IPA)体系制绒时的温度、时间、溶液组分对绒面的影响,以及制绒前去损伤的优劣.最终实现了,在含2.5%NaOH(质量百分比,下同)和10%IPA的溶液中,80℃恒温处理15 m...
关键词:
各向异性腐蚀
,
太阳电池
,
制绒
,
单晶Si
王卓
,
刘昌龙
硅酸盐通报
H和He离子联合注入单晶Si可以促使其表面产生发泡、剥落和层离等表面损伤,由此引发了一种有效地制备SOI材料的新方法,即智能剥离技术.文章简述了H和He离子注入单晶Si在随后的热处理过程中引起表面损伤的机理,探讨了注入条件变化对表面损伤的影响,提出了该领域存在的关键问题并介绍了智能剥离技术在现代半导...
关键词:
H和He离子联合注入
,
表面损伤
,
智能剥离
,
单晶Si
刘昌龙
,
尹立军
,
吕依颖
,
阮永丰
,
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.031
40、160和1550 keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016 ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h在Si中引起的损伤形貌.结果表明,三种能量的He离子注入Si并经高温退火均能产生空腔,但空腔的形貌、尺寸以及分布深度都依赖于离子的能量.结...
关键词:
单晶Si
,
He离子注入
,
高温退火
,
He空腔
,
透射电子显微镜
李炳生
,
张崇宏
,
杨义涛
,
周丽宏
原子核物理评论
沿Si的(100)面注入He离子, 能量为30 keV、剂量为5×1016 ions/cm2. 注入后样品切成几块, 在真空炉中分别做退火处理, 退火温度从600 ℃到1 000 ℃, 退火时间均为30 min. 利用原子力显微镜研究了各个样品表面形貌的演化. 发现样品表面形貌与退火温度相关联. 假...
关键词:
单晶Si
,
离子注入
,
He泡
,
原子力显微镜
,
表面形貌
张蓓
,
张鹏
,
王军
,
朱飞
,
曹兴忠
,
王宝义
,
刘昌龙
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.30.04.471
室温下将130 keV，5×1014 cm-2 B离子和55 keV，1×1016 cm-2 H离子单独或顺次注入到单晶Si中，采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT)研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示，B和H离子顺次注入到单晶Si可有效...
关键词:
单晶Si
,
B和H离子注入
,
H板层缺陷
,
XTEM
,
SPAT
王卓
,
田光
,
石少波
硅酸盐通报
室温下将40 keV的H离子以不同剂量注入到单晶Si样品中,部分H预注入的样品又进行了190 keV O离子注入.采用光学显微镜和透射电子显微镜分析比较了注入及退火后单晶Si样品的表面损伤以及注入层微观缺陷的形貌.光学显微镜结果表明,只有高剂量H离子注入的单晶Si经过450℃退火后出现了表面发泡和剥...
关键词:
H离子注入
,
空腔
,
单晶Si
麻磊
,
李淑娟
,
李浩
,
王嘉宾
人工晶体学报
采用Box-Behnken Design (BBD)设计实验,研究高速线锯切割过程中线锯速度、进给速度和工件转速三个工艺参数对单晶Si切割力的影响,通过曲面响应法(Response surface methodology,RSM)建立单晶Si片切割力的响应模型,并进行方差分析,获得了高速线锯切割单晶...
关键词:
曲面响应法
,
单晶Si
,
切割力
