杨锐杰
,
吴平
,
李向龙
,
王宝义
,
张师平
,
陈森
物理测试
doi:10.13228/j.boyuan.issn1001-0777.20130134
采用正电子湮没寿命和多普勒展宽谱探讨了含铜超低碳微合金钢在连续冷却过程中,微量元素铜对其缺陷的影响.结果表明:从1 150℃以5℃/s冷速到850℃的过程中,超低碳微合金钢中的主要缺陷为单空位和位错;铜元素不仅显著影响了微合金钢中缺陷数量随温度的变化规律,并且降低了单空位和位错缺陷的总数量;不含铜微合金钢中缺陷数量随温度的降低先增大再减小,且在1 000℃时达到最大值;含铜微合金钢中缺陷数量随温度的降低基本保持不变.
关键词:
微合金钢
,
位错
,
单空位
,
缺陷浓度
,
自由电子密度
王超营
,
孟庆元
,
王云涛
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2009.04.004
利用基于Stillinger-Weber(SW)势函数的分于动力学方法分析了Si中30°部分位错和单空位(V1)的相互作用.不同温度,剪应力作用下的计算结果表明,在温度恒定条件下,剪应力较小时,V1对位错有钉扎作用;当施加的剪应力达到临界剪应力时,位错脱离V1的钉扎继续运动,并且将V1遗留在晶体中;随温度的升高,临界剪应力近似线性下降.通过不含V1和含有V1的模型中位错芯位置的对比后发现,V1对滑过它的30°部分位错有明显的加速作用.
关键词:
Si,30°部分位错
,
单空位
,
分子动力学
,
弯结
