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B位复合离子取代BNT无铅陶瓷的压电介电性能

单召辉 , 刘心宇 , 杨桂华 , 周昌荣

人工晶体学报

采用两步合成工艺,制备了新型Bi1/2Na1/2Tix(Mg1/3Nb2/3)xO3,系无铅压电陶瓷.研究了B位复合离子取代对BNT陶瓷的晶体结构及压电与介电性能的影响.X射线衍射分析表明,所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体;当x=0.015时,该体系陶瓷具有较佳的压电性能:压电常数d33=101 pC/N;k,=0.48.陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征.该体系陶瓷具有高kt值,低kp值;其比值kt/kp较大,具有较大的各向异性,是一种适合高频下使用的优良的超声换能材料.

关键词: 钛酸铋钠 , 复合离子 , 压电介电性能 , 弥散相变

铋过量与铌掺杂对钛酸铋钡陶瓷微观结构及性能的影响

左寒松 , 杨永顺 , 郭俊卿 , 刘袆冉

材料科学与工程学报

采用传统固相烧结工艺制备BaBi4Ti4O15(BBT)陶瓷,研究了氧化铋过量与铌掺杂量对试样晶相、微观组织结构以及压电介电性能的影响.结果表明:各试样都形成了与BBT相同的单一相结构,说明适量氧化铋过量和B位Nb5+掺杂并未改变BBT陶瓷的晶体结构;随着Nb5+掺杂量的增加,晶粒尺寸持续降低,但是超过Nb5+的固溶限度后,细化效果不再明显增加;压电常数和相对介电常数随掺杂量增加先增后减,其峰值也出现在Nb5+的固溶限度处.介质损耗始终呈现增长趋势,但增长幅度不大.由此可见Nb5+固溶限度点是性能转变的关键点.

关键词: BaBi4Ti4O15 , 铋过量 , Nb5+掺杂 , 固溶限度 , 压电介电性能

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