魏天杰
,
薛晨阳
,
李艳
,
张文栋
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.040
以共振隧穿结构为压阻器件可以得到较高的灵敏度,但是当实验选择不同的工作偏压时,这种压阻效应表现得极其不同.由于高灵敏度是依靠较高的I-V曲线斜率获得的,因此最初人们希望选择具有较高峰谷比结构作为器件.但是有些区域的斜率过大,以至于压阻效应失去线性及稳定性而变得没有实用价值.另外,在某些工作区域由于共振隧穿结构本身具有的双稳态特性,而使其完全失去压阻特性.本文对这些问题进行了系统分析,并对一个具体的结构,分析其工作区域及特性,给出最高灵敏度可达700左右.
关键词:
共振隧穿结构
,
压阻系数
,
I-V曲线
,
灵敏度
杜晓松
,
杨邦朝
,
滕林
,
宋远强
,
蒋亚东
功能材料
采用磁控溅射法制备锰铜薄膜,溅射和真空蒸发法制备镱薄膜.对热处理前后薄膜的电学性能、微观形貌和结构进行了表征,并采用轻气炮和对顶砧装置对薄膜传感器进行了压阻性能测试,结果表明热处理后薄膜的压阻系数有很大提高.SEM和XRD的分析表明,压阻系数的提高是由于热处理后薄膜晶粒长大、缺陷减少、电阻率下降所致.敏感薄膜的电阻率与传感器的灵敏度直接相关.热处理后,薄膜压阻计的灵敏度已接近箔式传感器的水平,热处理是提高薄膜压阻计灵敏度的有效手段.
关键词:
压阻系数
,
锰铜
,
镱
,
薄膜
,
微观结构
