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原位光发射谱研究横向偏压金刚石薄膜生长过程

廖源 , 尚乃贵 , 李灿华 , 王冠中 , 马玉蓉 , 方容川

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.06.018

利用热丝CVD方法研究了横向偏压对金刚石薄膜成核和生长的影响．实验表明，随着偏流的增加，金刚石在光滑硅衬底上的成核密度得到显著提高，最高可达1．1×108cm-2，但是横向偏压不利于金刚石薄膜的生长．原位光发射谱研究发现，横向偏流的增加提高了原子氢和CH基团的浓度，导致衬底表面非晶碳层的形成，这可能是造成横向偏压促进金刚石成核却不利于金刚石薄膜生长的主要原因．

关键词: 金刚石薄膜 , 横向偏压 , 原位光发射谱 , 非晶碳层