王文武
,
姜宁
,
谢二庆
,
贺德衍
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2003.04.010
为了获得高品质的欧姆接触和线路连接材料,利用离子注入方法在n型单晶Si(111)基底上制备了钇硅化物,并对其在高真空下红外光辐照处理过程中的结构相变进行了研究.X射线衍射测量表明,在Y离子注入过程中已形成了部分六方相YSi2,800℃下红外光辐照处理30 min后YSi2呈现出择优结晶取向.从辐照过程中原位测量样品的方块电阻变化发现,当温度升至160℃时,Y与Si反应首先形成了斜方相YSi.YSi/YSi2的相转变出现在240℃,随温度的进一步升高,Y原子完全与Si原子发生反应,形成了结晶取向良好的六方相YSi2.
关键词:
钇硅化物
,
离子注入
,
固相反应
,
原位方块电阻测量
谢二庆
,
王文武
,
姜宁
,
贺德衍
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.011
利用离子注入的方法在Si(111)衬底上制备出了具有六方结构的稀土硅化物YSi2埋层,并对其进行了结构及电学特性的研究.钇注入剂量为1×1018Y+cm-2,注入能量为100keV.利用X射线衍射(XRD)及卢瑟福背散射技术(RBS)得到了注入样品的结构相.结果显示,在对衬底Si进行Y离子注入的过程中就已经形成了YSi2相,在随后的红外光辐照退火过程中,样品呈现出了取向生长的趋势.利用RBS的测量分析了注入层中的Y离子在样品不同深度处的浓度分布.利用四探针法对刚注入的样品进行了红外光辐照过程中的原位方块电阻测量,结果显示,当退火温度升到160°C时,样品中形成了斜方的YSi亚稳相;而240°C则对应着YSi-YSi2的相转变点.
关键词:
硅化钇
,
原位方块电阻测量
,
离子注入
