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钼-铌合金原料品质对单晶制备的影响

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2006.04.010

主要讨论了钼-铌合金原料品质,包括烧结条的制备、原料的化学成分、原料棒的尺寸规格等对单晶制备的影响.结果表明:高温真空烧结钼-铌合金烧结条由于C、O等杂质含量过高,在20 kW电子束悬浮区域熔炼炉上区域熔炼时未能直接生长制备出单晶,但其经过两次电子束熔炼获得的Ф(12～17)mm原料棒C元素质量分数降为6.3×10-3%、O元素质量分数降低了近2个数量级,仅为1.4×10-3%,能稳定地生长制备出Ф31 mm×735 mm的大尺寸钼-铌合金单晶,而直径超过Ф18 mm或小于Ф11 mm原料棒在区域熔炼时未能获得钼-铌合金单晶.

关键词: 钼-铌合金单晶 , 原料 , 烧结条 , 化学成分 , 尺寸规格

放电等离子烧结制备Ti3SiC2材料的研究

朱教群 , 梅炳初 , 陈艳林

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.04.026

本文报道分别以Ti/Si/C,Ti/SiC/C为原料,采用放电等离子烧结工艺制备Ti3SiC2材料的研究结果.以元素单质粉为原料,掺加适量Al作助剂能加速Ti3SiC2的反应合成并提高材料的纯度,在1200～1250℃的温度下能制备出经XRD、SME和EDS表征不含TiC和SiC等杂质相的纯净TiSiC2材料.而以Ti/SiC/C为原料时,有无Al作助剂都难以制备出纯净的Ti3SiC2,其反应合成温度明显高于以元素单质粉为原料的.

关键词: 碳硅化钛 , 制备 , 放电等离子烧结 , 原料

低膨胀率堇青石陶瓷的研究

杜永娟 , 李萍 , 胡丽华 , 吴文艳 , 俞浩

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2002.01.009

以粘土、滑石、氧化铝等为原料,经1390～l400℃烧结,制备了堇青石陶瓷.使用X射线荧光分析和X射线衍射分析确定了其化学组成和晶相组成,并测定了热膨胀率.根据堇青石的晶体结构和烧结机理,研究并讨论了陶瓷的化学组成、原料种类和质量对其晶相组成和热膨胀率的影响.

关键词: 堇青石陶瓷 , 热膨胀率 , 化学组成 , 原料 , 晶相

用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究

高攀 , 刘熙 , 严成锋 , 忻隽 , 陈建军 , 孔海宽 , 郑燕青 , 施尔畏

人工晶体学报

SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料.本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响.结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N.最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备.

关键词: SiC晶体 , 原料 , 粒径 , 堆积密度