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绘制了分光光度法测定六价铬的标准曲线,研究了硫酸盐体系三价铬镀液中六价铬的积累规律,并测试了不同的去除方法.结果表明,添加有机醛类稳定剂或溴化铵可以降低六价铬的生成速率,使用小电流电解和添加过氧化氢能降低三价铬镀液中六价铬的质量浓度.

关键词: 三价铬电镀 , 硫酸盐体系 , 六价铬 , 分光光度法 , 去除 , 稳定剂 , 电解 , 还原

酸性光亮镀铜液中过多氯离子的去除

袁诗璞 , 何永强

电镀与涂饰

讨论了现有公开去除硫酸盐光亮酸性镀铜液中过多Cl-的方法(如化学沉淀)的原理及存在问题.对另一些可能的方法(如用其他还原剂替代锌粉以及氧化法)进行了分析或试验.开发了一种二液型无毒高效除氯剂.对工业化生产如何避免Cl-过多积累提出了建议.

关键词: 光亮酸性镀铜 , 硫酸盐 , 氯离子 , 去除 , 化学沉淀 , 亚铜离子 , 氧化 , 还原

锌酸盐镀锌液中的金属杂质及其对策

袁诗璞

电镀与涂饰

分析了锌酸盐镀锌液对金属杂质的敏感性.介绍了几种消除阳离子杂质的方法,如配位掩蔽法和沉淀去除法.讨论了乙二胺四乙酸、酒石酸钾钠、三乙醇胺等掩蔽剂的利弊,以及硫化钠沉淀法的可行性.指出了使用高纯度阳极的必要性.

关键词: 锌酸盐镀锌 , 金属杂质 , 去除 , 掩蔽 , 沉淀 , 配位剂 , 阳极

以10%(体积分数)LIX984N/煤油为液膜相,2 mol/L硫酸溶液为反萃相,研究了中空纤维更新液膜(HFRLM)技术对模拟电镀废水中二价铜离子的去除及浓缩效果,并讨论了停留时间对二价铜离子去除率的影响.结果表明,中空纤维更新液膜技术可同时实现废水中二价铜离子的分离与富集.经7级处理后,废水中二价铜离子的含量低于1.0 mg/L,二价铜离子的去除率为99.0%,达到国家排放标准;富集液中二价铜离子的浓度达1700 mg/L,富集因子为25.中空纤维更新液膜技术在含铜废水处理方面具有广阔的应用前景.

关键词: 二价铜 , 电镀废水 , 中空纤维 , 液膜 , 处理 , 去除 , 富集

质粒DNA的阴离子交换色谱法纯化及内毒素去除

皮文辉 , 孙从建 , 宋志强 , 马连营 , 刘淑萍 , 白丁平 , 蔡宜东 , 刘守仁

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2007.06.004

采用Fractogel(R) EMD TMAE(M)强阴离子交换介质分离纯化质粒脱氧核糖核酸(DNA),该介质对质粒DNA的动态载样量达0.62 mg/mL.用Triton X-114或Triton X-100预先处理质粒DNA的裂解澄清液后,经阴离子交换色谱分离纯化获得的质粒DNA中内毒素含量分别为6.42 EU/mg和9.50 EU/mg,显著低于未经Triton处理的裂解澄清液(67.82 EU/mg).该法实现了阴离子交换色谱一步纯化质粒DNA的目的,具有简便、省时、成本低等特点.

关键词: 阴离子交换色谱 , 纯化 , 质粒DNA , Triton X-114 , Triton X-100 , 内毒素 , 去除

铝合金钛锆转化处理过程中铝离子的影响及消除

廖忠淼 , 李文芳 , 穆松林 , 祝闻 , 石裕同 , 戚鹏飞

电镀与涂饰

探讨了转化液中铝离子含量对钛锆转化膜性能的影响.采用扫描电镜和能谱仪表征了膜层的微观形貌和成分,并用极化曲线和硫酸铜点滴腐蚀试验评价了其耐蚀性.结果表明:当转化液中铝离子质量浓度为60 mg/L时,所得膜层的形貌最平整致密,耐蚀性最好.但当铝离子质量浓度达到90 mg/L时,膜层表面开始出现“蚀坑”,并且随着铝离子含量增加而增多,造成耐蚀性下降.当铝离子质量浓度为210 mg/L时,铝合金表面不能成膜.采用氟化钠去除转化液中的铝离子之后,膜层的耐蚀性恢复到原工艺水平.

关键词: 铝合金 , 钛锆转化膜 , 铝离子 , 耐蚀性 , 微观形貌 , 氟化钠 , 去除

金属零件挂灰的去除

宋乖鱼 , 马忠信

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2008.01.006

金属零件表面在前处理过程中产生的挂灰是材料中的惰性元素碳粒、硅粒,金属间化合物的质点与难溶物.如不除净,将影响镀层结合力,外观及防腐性.除挂灰工艺有两种:化学除挂灰工艺,电化学除挂灰工艺.选择合适的氧化剂、络合剂、辅助剂、表面活性剂、缓蚀剂等,将除灰、除油、除锈、出光一步完成是新一代除灰工艺发展的趋势.

关键词: 金属零件 , 表面挂灰 , 危害 , 去除

化学法去除碳化钨-钴涂层的工艺

李晗晔 , 冮冶 , 刘志强

电镀与涂饰

采用化学法分别去除GH4169合金及TC4合金基材表面的WC–Co等离子喷涂层。通过正交试验对去除液配方和处理温度进行优化。GH4169基WC–Co涂层的最优去除工艺条件为：HNO330 mL/L，H2O2550 mL/L，处理温度35°C。TC4合金基WC–Co涂层的最优去除工艺条件为：HNO370 mL/L，H2O2550 mL/L，处理温度30°C。采用上述工艺可有效去除GH4169和TC4表面的WC–Co涂层，对基体无明显的化学腐蚀，不会导致基体吸氢。1 L去除液可处理约10 dm20.3 mm厚的WC–Co涂层。

关键词: 钛 , 高温合金 , 碳化钨 , 钴 , 等离子喷涂层 , 去除