陈辉
,
郑燕青
,
陈建军
,
路治平
,
王绍华
,
施尔畏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.023
本文对采用双坩埚提拉法(DCCZ)生长的化学计量比LiNbO3晶体中出现的机械双晶、组分过冷、包裹体等宏观生长缺陷进行了观察和分析.结果表明机械双晶通常以{102}和{104}面族为双晶面,而不是以前文献报道的{102}和{012}面族;化学计量比LiNbO3晶体双坩埚提拉法生长与同成份晶体生长不同,前者是助熔剂生长体系,生长速度稍快或温度较小的波动就会导致组分过冷,而后者属于纯熔体生长体系,不容易产生组分过冷;包裹体是由于组分过冷生长时界面失稳夹入熔体所造成的.由于这些缺陷的存在都会严重影响单晶的获得率和质量,为此,我们通过大量实验研究后提出了可以减少和避免这些生长缺陷提高晶体质量的方法.
关键词:
双坩埚提拉法
,
化学计量比铌酸锂
,
机械双晶
,
组分过冷
,
包裹体
,
缺陷
郑燕青
,
施尔畏
,
王绍华
,
陈辉
,
卢网平
,
孔海宽
,
陈建军
,
路治平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.001
本文在用双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的过程中观察到了组分过冷的实验数据,同时根据Tiller-Chalmers稳定性判据公式半定量计算了近化学计量比LiNbO3晶体临界生长速率的理论值,得到一般电阻加热双坩埚提拉法生长近化学计量比LiNbO3晶体的临界生长速率为0.1mm/h数量级.通过临界生长速率解释了一系列晶体生长的实验结果.提出了一些工艺措施来避免组分过冷,根据这些工艺获得了无包裹体的近化学计量比LiNbO3晶体.
关键词:
双坩埚提拉法
,
近化学计量比
,
临界生长速率
,
组分过冷
