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磷硅镉多晶合成的防爆工艺研究

刘光耀 , 朱世富 , 赵北君 , 陈宝军 , 何知宇 , 樊龙 , 杨辉 , 王小元

人工晶体学报

分析了磷硅镉(CdSiP2)多晶合成过程中产生爆炸的原因.采用双层石英安瓿作为反应容器和低温区域在炉管中部的合成炉.在合成低温阶段采用气相输运技术使原料分步反应,防止P蒸气压过高引起爆炸,在合成高温阶段采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法使元素化合反应充分、完全,避免了合成中间产物聚集引起容器爆炸...

关键词: 磷硅镉 , 双层石英安瓿 , 低温气相输运