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多孔硅电学特性研究

房振乾 , 胡明 , 刘博 , 宋阳

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.02.003

采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多也硅/P+型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构.主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响.结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性.

关键词: 多孔硅 , 双槽电化学腐蚀法 , I-V特性 , 欧姆接触