诸葛兰剑
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姚伟国
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吴雪梅
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王文宝
功能材料
以双离子束溅射法在(111)硅片和玻璃上分别制得了单一γ1-Fe4N薄膜,研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响.结果表明,以(111)硅片为基片,可制得无晶粒择优取向的单一γ1-Fe4N相;而以玻璃为基片,在基片温度为160℃时,则可制得具有(100)面晶粒取向的单一γ1-Fe4N相薄膜;与无晶粒择优取向的γ1-Fe4N相比较,具有(100)面晶粒取向的γ1-Fe4N相的矫顽力较低,易达到磁饱和,但二者的饱和磁化强度基本一致.
关键词:
双离子束溅射
,
基片
,
γ1-Fe4N薄膜
,
晶粒取向
成珏飞
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吴雪梅
,
诸葛兰剑
,
王文宝
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.002
采用双离子束溅射技术制备了Si和C共掺杂的SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理.分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性,在该样品中观察到分别位于410nm和470nm的两个发光峰.这两个发光峰的强度随着退火温度的变化呈现不同的变化趋势,表明两个发光峰的来源并不相同.用XRD和FTIR测试手段分析了样品的结构,认为470nm的发光来源于中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),而410nm的发光来源于Si1-xCx纳米晶粒与SiO2基质之间的界面缺陷.
关键词:
光致发光
,
红外吸收谱
,
碳化硅
,
双离子束溅射
