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快中子辐照硅中双空位的退火行为研究

杨帅 , 邓晓冉 , 徐建萍 , 陈贵锋 , 闫文博

硅酸盐通报

本文利用傅立叶变换红外光谱技术(FTIR)及正电子湮没谱技术(PAS)对快中子辐照硅中的双空位(V2)的退火行为作了详细研究.研究发现区熔硅中双空位在250 ℃热处理会通过相互连接形成链状而在红外光谱中消失,提高退火温度到350~450 ℃,它们将进一步结合形成具有三维结构的四空位型缺陷;而在直拉硅中双空位主要通过捕获间隙氧或A中心(VO)形成V3O复合体而消失.

关键词: 辐照缺陷 , , 双空位 , FTIR

快中子辐照直拉硅中V2的FTIR研究

辛少波 , 梁小平 , 徐学文 , 王小会

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.05.033

通过傅立叶红外光谱仪(FFIR)技术研究了由快中子辐照直拉硅中引入的辐照缺陷--双空位(V2)退火行为,主要研究了不同中子辐照剂量对双空位的影响.实验结果表明:随辐照剂量的增加双空位缺陷的浓度并不会无限地增加;间隙氧原子很容易与双空位缺陷结合形成比较稳定的空位-氧复合体,当退火温度超过200℃,双空位吸收峰消失.

关键词: 直拉硅 , 快中子辐照 , 退火 , 双空位

黄铜脱锌体扩散机制研究

姚禄安 , 邱万川 , 甘复兴 , 郭海

腐蚀学报(英文)

应用电化学和表面分析技术研究了砷对H_(62)与H_(68)黄铜脱锌效应研究。脱锌深度(D)与含砷量(C)服从下列关系式:D=D_0/ (1_B·C~n)。用正电子湮没技术测得了τ_2值且与双空位(τ_(2))值相符。脱锌后τ_2的相对强度变化量△I_2与平均寿命变化量△τ_m包含着脱锌深度D的信息。这就为锌在优先溶解过程中双空位体扩散机制提供了直接证据。

关键词: 黄铜脱锌 , Volume diffusion , Positron lifetime , Divacancies

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