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PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究

赵杰 , 胡礼中 , 王兆阳 , 李银丽 , 王志俊 , 张贺秋 , 赵宇

功能材料

用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜.RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降.相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜.XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善.在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV.

关键词: ZnO薄膜 , 反射式高能电子衍射 , X射线衍射 , 光致发光

衬底温度对PLD法制备ZnO薄膜结构及发光特性的影响

赵杰 , 胡礼中 , 宫爱玲 , 刘维峰

功能材料

在60Pa的高氧压气氛中,用脉冲激光沉积法以Si(111)为衬底在不同温度下制备了ZnO薄膜.RHEED和XRD结果表明,所有样品都是c轴高度择优取向的多晶ZnO薄膜.随衬底温度的升高,ZnO薄膜(002)衍射峰的半高宽不断减小,从0.227~0.185°.对(002)衍射峰的2θ值分析表明,650℃下生长的ZnO薄膜几乎处于无应力的状态,而在较低或较高温度下生长的薄膜中都存在着一定程度的c轴压应力.室温PL谱测试说明在650℃生长的ZnO薄膜具有最强的紫外发射峰和最窄的UV峰半高宽(83meV).在700℃得到的样品PL谱中,检测到一个位于3.25eV处的低能发射峰.经分析,该峰可能是来自于施主-受主对(DAP)的跃迁.

关键词: ZnO薄膜 , 反射式高能电子衍射 , X射线衍射 , 光致发光

PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜

赵杰 , 胡礼中 , 王维维

功能材料

采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了Zno薄膜.通过对不同氧压下(0~50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射.XRD测试说明在氧气氛中得到的薄膜结晶质量较差,没有单一的(002)取向.利用-低温(500℃)沉积的ZnO薄膜作缓冲层,得到了高质量的ZnO外延膜.与直接沉积的ZnO膜相比,生长在缓冲层上的ZnO膜展现出规则的斑点状衍射花样,而且拥有更强的UV发射和更窄的UV峰半高宽(98meV).对不同温度下沉积的缓冲层进行了RHEED表征,结果表明,在600~650℃之间生长缓冲层,有望进一步改善ZnO外延膜的质量.

关键词: ZnO薄膜 , 光致发光 , X射线衍射 , 反射式高能电子衍射

钙钛矿型氧化物SrTiO3/BaTiO3多层膜的激光分子束外延生长研究

姚海军 , 李燕 , 罗佳慧 , 姜斌 , 邓宏 , 蒋书文

功能材料

用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)衬底上外延生长SrTiO3/BaTiO3多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原位实时监测并结合原子力显微镜(AFM),研究了不同基片温度下所生长薄膜的表面平整度,利用X射线衍射(XRD)对外延薄膜进行了结构分析,结果表明薄膜具有二维生长模式,在基片温度为380~470℃之间生长的薄膜具有原子级光滑,并且具有完全C轴取向.同时运用X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜界面的互扩散,结果表明降低制备薄膜时的基片温度有利于减少互扩散.

关键词: 激光分子束外延 , SrTiO3/BaTiO3 , 多层膜 , 反射式高能电子衍射 , 原子力显微镜

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