王刚
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李平
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李威
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张国俊
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谢小东
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姜晶
材料导报
综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工作电压和抗辐射性能等方面的研究进展,指出了反熔丝以及反熔丝器件的4个主要发展趋势,即工艺兼容、高密度、有机/柔性和新材料.
关键词:
反熔丝
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氧化物-氮化物-氧化物
,
非晶硅
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栅氧化层
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反熔丝PROM
,
反熔丝FPGA
耿超
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李孝远
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林熠
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罗春华
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谢文刚
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邓玉良
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李达
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.33.03.358
针对0.13μm CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)体硅外延工艺下FPGA(Field Programmable Gate Arrays)配置片反熔丝PROM(Programmable-Read-Only-Memory)进行了单粒子效应(Single Event Effects SEEs)的加速器地面模拟试验研究。以PROM的存储容量、数据类型和工艺差异性为研究变量，考核与验证其在不同种类和能量粒子入射的系列性加速器地面SEEs模拟试验。研究结果表明，相对于8 Mbits PROM而言，空片16 Mbits PROM抗辐射性能最优，且从翻转饱和截面上说，16 Mbits的PROM具备更高的可靠性，优于国外同系列的芯片类型，试验用PROM芯片的单粒子锁定阈值>99.0 MeV·cm2/mg。另一方面，研究0.13μm CMOS普通与深阱工艺技术下PROM芯片单粒子翻转效应异同性的实验数据表明，在高LET(Linear Energy Transfer)处的两者抗辐射性能并无明显变化，但是低LET处(LET翻转阈值)的加固效果较为明显，即抗辐射技术能力主要体现在LET翻转阈值的提升而非翻转截面的减小。
关键词:
重离子
,
反熔丝PROM
,
单粒子锁定
,
单粒子翻转
