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反转胶lift-Off工艺制备堆栈电感

何大伟 , 程新红 , 王中健 , 徐大朋 , 宋朝瑞 , 俞跃辉

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.004

本文采用反转胶lift-off工艺,对比分析了金属淀积方式、光刻胶的选择及光刻胶烘干时间对金属剥离效果的影响,制备出最小线宽4μm,最小间距4μm,厚度为1μm,线宽误差小于0.5μm的金属线条,并最终实现具有三层金属的堆栈电感,经光学显微镜和台阶仪观测表明,器件外观良好成品率高.

关键词: 堆栈电感 , lift-off , 金属剥离 , 反转胶 , SOI

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