段海婷
,
赵芳
,
刘建国
,
谭美军
,
王正祥
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.02.020
采用高温固相法制备SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料.借助材料的发射光谱、激发光谱,分析研究活性炭装法和活性炭含量对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+发光材料发光性能的影响.结果表明:活性炭作为一种还原剂,装法和含量的变化能改变发光材料的发射光谱和激发光谱,活性炭覆盖在前躯体表面加热所制得样品的发光效果好,当活性炭含量为12%～20%时,所制得的样品具有质地疏松、发光强度好等特点.
关键词:
SrAl2O4
,
Eu2+,Dy3+
,
高温固相法
,
活性炭
,
发光强度
初本莉
,
郭崇峰
,
苏锵
功能材料
通过控制实验条件,合成了Ca4Y6(SiO4)6O∶Eu纳米晶和微米晶,经1000℃灼烧后,纳米晶的粒径约为50nm,提高灼烧温度并延长灼烧时间,可使其粒径达到几百个纳米.研究了纳米晶Ca4Y6(SiO4)6O∶Eu的发光特性,发光强度与灼烧温度的关系,灼烧温度及材料制备方法对Eu3+在Ca4Y6(SiO4)6O中的猝灭浓度的影响,并发现纳米晶的激发光谱中,Eu3+-O2-电荷迁移带蓝移的特性.
关键词:
纳米晶
,
Ca4Y6(SiO4)6O∶Eu
,
发光强度
,
猝灭浓度
郝秀利
,
陈永生
,
陈喜平
,
周建朋
,
王洪洪
,
卢景霄
,
杨仕娥
功能材料
EDTA作为络合剂,在pH值为5的条件下,采用水热法制备了NaYF4∶Yb3＋,Ho3＋微米棱柱上转换材料,研究了掺杂浓度和晶粒尺寸对上转换发光特性的影响。实验发现材料发光主要以绿光为主,最佳的Yb3＋、Ho3＋掺杂浓度分别为25%和1%,高于此值均会出现浓度猝灭效应。通过改变溶液中NaF/NH4HF2摩尔比来调控晶粒的尺寸,发现随着晶体颗粒尺寸的增大,材料中Yb3＋浓度增加,从而使上转换发光增强。
关键词:
上转换材料
,
氟化钇钠
,
水热法
,
发光强度
陈席斌
,
马淑芳
,
董海亮
,
梁建
,
许并社
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.05.01
采用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上外延生长GaN基材料,设计并优化外延生长条件,探索单层N型GaN(N-GaN)、多量子阱(MQW)、电子阻挡层(P-AlGaN)、P型GaN(P-GaN)材料对发光二极管(LED)器件的光电性能的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、电致发光谱(EL)、光致发光谱(PL)等测试设备对外延片进行表征.结果表明:经优化Si掺N-GaN和垒层(QB),获得较好的(102)、(002)半峰宽,正向电压从4.46 V分别降至3.85 V、3.47V,发光强度从4.86 mV提高到6.14 mV.然后对P型AlGaN层进行Mg掺杂优化,正向电压下降至3.35V,发光强度提高到6.14 mV.最后对P-GaN层进行了生长温度及退火温度的优化,结果发现正向电压从3.16V提高至3.32V,发光强度提高至6.70 mV左右.全自动探针台在测试电流20 mA的条件下,对芯片的电压和发光强度进行了测试,电压大致从4.5V降到3.8V左右,下降了16％.发光强度大概从110 mcd提高到135 mcd,提高了 20％左右.结合实验结果与理论综合分析,解释了N-GaN层和QB层Si掺量,P-AlGaN层Mg掺量,P-GaN层生长温度及活化温度对正向电压和亮度的影响,从而为高质量GaN薄膜材料外延生长及高性能的LED提供了更好的实验指导与理论支持.
关键词:
发光二极管
,
GaN
,
正向电压
,
发光强度
宋衍滟
,
赵麦群
,
何毓阳
,
高飞山
,
薛静
人工晶体学报
用化学共沉淀法制备了 Y0.99-xBaxVO4:1% Dy3+荧光粉,研究了 Ba2+浓度(0≤x≤0.25)及电荷补偿剂 K+对荧光粉发光强度的影响.结果表明:在315 nm 紫外光激发下,随Ba2+浓度的增加,Y0.99-xBaxVO4:1%Dy3+荧光粉发光强度呈现先增加后降低的趋势,在x=0.1 处达最大值,与未添加 Ba2+的荧光粉相比发光强度提高约50%,但色坐标变化不明显,色温在5200 K 左右,为光色柔和的暖白光.电荷补偿剂 K+的添加使 Y0.99-xBaxVO4:1%Dy3+荧光粉在 Y0.99-x BaxKxVO4:1%Dy3+荧光粉发光强度的基础上明显提高,色坐标及色温变化不明显.
关键词:
Y0.99-xBaxVO4:1％Dy3+
,
电荷补偿剂K+
,
发光强度
,
色坐标
,
色温
黄燕
,
叶红齐
,
庄卫东
,
胡运生
功能材料
用均相沉淀法制备得到草酸钇铕前驱体,在前驱体的焙烧中用熔盐Na2CO3、S、NaCl或它们的组合辅助其于1000～1300℃下焙烧2h制备Y2O3:Eu3+红色荧光粉.实验结果分析发现复合熔盐有利于Y2O3:Eu3+发光强度的提高,在1300℃焙烧时其主峰强度比不加熔盐量时的高36%,且高出商用Y2O3:Eu3+红粉的11%.熔盐配比的调节还可有效调控了Y2O3:Eu3+粉体的颗粒尺寸.
关键词:
复合熔盐
,
Y2O3∶Eu3+
,
荧光粉
,
粒度
,
发光强度
童红双
,
阮永丰
,
王帅
,
王友发
人工晶体学报
利用温度梯度法生长了BaY2F8晶体和Er3+∶BaY2F8晶体.测试了Er3+∶BaY2F8晶体的室温吸收光谱以及从室温(299 K)到12 K的荧光光谱,分析了温度对Er3+∶BaY2F8晶体发光强度的影响.结果表明,在375 nm泵浦光源的激发下,观察到峰值为520nm和552 nm两种较强的绿光发射,随着温度的升高,520 nm发光峰逐渐增强而552 nm发光峰逐渐减弱；在温度为12 K时,对应于Er3+4I13/2→4I15/2的跃迁处(1.5μm附近)出现多个分立的发射峰,随着温度的升高,这些发光峰逐渐出现展宽并且峰位发生蓝移.最后利用多声子辅助跃迁以及多声子弛豫对于温度的依赖关系来解释上述现象.
关键词:
Er3+∶BaY2F8
,
发光强度
,
温度
,
多声子跃迁
张霞
,
王敏捷
人工晶体学报
以LaO3、Eu2O3和(NaPO3)6为原料,采用共沉淀法制备了LaP3O9∶ Eu3+荧光粉,并对其发光性能进行了分析.结果表明:该荧光粉的最强吸收峰位于391 nm处；两个发射峰分别位于587 nm和616 nm处,且两峰发光强度相近,说明Eu3+在LaP3O9∶ Eu3+晶体场中处于具有非反演中心对称的格位；与LaPO4∶Eu3荧光粉相比LaP3O9∶ Eu3+发出的红光色饱和度更高；Eu3+在LaP3O9∶ Eu3+晶体荧光粉中的掺杂浓度为8at％时,发光强度最大.
关键词:
LaP3O9∶Eu3+
,
多聚磷酸盐
,
发光性能
,
发光强度
刘先才
,
胡关钦
,
冯锡淇
,
张明荣
,
徐力
,
殷之文
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.010
研究了Bridgman法生长的Sb掺杂钨酸铅(PWO)晶体中Sb的分布和闪烁特性.晶体中Sb含量的测定表明,Sb在PWO晶体中的分凝系数约为0.63.由于Sb掺杂可以补偿PWO晶体的组分缺失而降低其中空位和一些色心的浓度,与未掺杂晶体相比较,Sb掺杂晶体具有更好的光学透过率和更高的发光强度.而且,在富氧气氛下退火后,Sb掺杂晶体的发光谱特征变化较小,仍能保持较高的快慢分量比.
关键词:
Sb掺杂钨酸铅晶体
,
分凝系数
,
透过率
,
发光强度
,
闪烁晶体
翟永清
,
王莉莉
,
马健
,
胡志春
,
王腾
,
姜楠
人工晶体学报
采用微波辅助凝胶燃烧法制备了Ca2MgSi2O7∶Eu3+红色荧光粉,运用XRD、荧光分光光度计等对合成样品进行分析表征,并探讨了焙烧温度、助熔剂用量、Eu3+浓度等对样品发光性能的影响.结果表明:所得样品为四方晶系的Ca2MgSi2O7晶体结构.Ca2MgSi2O7∶Eu3+的激发光谱由一宽带和一组锐线峰组成,分别归属于Eu3+-O2-之间的电荷迁移态和Eu3+的f→f跃迁.样品的发射光谱主要由两个强发射峰组成,分别位于591 nm和619 nm处,属于Eu3+的5 D0→F1磁偶极跃迁和5D0→7F2的电偶极跃迁.研究发现:当焙烧温度为1000℃、助熔剂H3BO3用量为15％时,样品发光性能较好；Eu3+浓度(x)对样品Ca2-xMgSi2O7∶Eu3x+的发光强度影响较大,当Eu3+浓度x在0.02 ～0.16范围内变化时,随着Eu3+浓度的增加,样品的发光强度不断增加,未出现明显的浓度猝灭现象.
关键词:
Ca2MgSi2O7∶Eu3+
,
红色发光粉
,
凝胶燃烧法
,
发光强度
,
白光发光二极管
