刘欣荣
,
徐衍岭
,
杨春辉
,
徐悟生
,
王锐
,
陈刚
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.011
采用提拉法生长了Cd:PbWO4晶体,最佳生长工艺参数:液面上和液面下轴向温度梯度分别为40～50 ℃/cm和17～25 ℃/cm,生长速度2～3 mm/h,转速为25～30 r/min,以这一条件生长晶体可克服液流转换,避免由此引起的缺陷.Cd:PbWO4的透过率明显高于各类型未掺杂PbWO4晶体,测得Cd:PbWO4的发光效率为21.2 p.e/MeV,而高纯PbWO4为10.5 p.e/MeV,分析纯退火PbWO4为8.2 p.e/MeV,未退火PbWO4为6.7 p.e/MeV.Cd:PbWO4晶体的平均衰减时间约为10 ns.以上结果表明,Cd:PbWO4是一种良好的闪烁晶体.
关键词:
掺镉钨酸铅晶体
,
发射光谱
,
发光效率
,
闪烁晶体
,
引上法晶体生长
彭英才
,
傅广生
,
王英龙
,
尚勇
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.039
本文中,我们以SiO2介质镶嵌的纳米晶Si薄膜(nc-Si/SiO2)作为基质,将稀土离子Er掺入其中所形成的nc-Si:Er3+/SiO2薄膜材料为主,介绍了nc-Si→Er3+之间的能量转移过程,探讨了实现各类掺Er的Si基纳米材料高效率发光的可能途径.这些方法主要包括:增强nc-Si→Er3+的能转移效率,提高有效Er的掺杂浓度,选择最佳的退火温度,增加Er-O发光复合体的浓度和制备新的Er掺杂Si基纳米结构等.这些方法对制备具有高发光效率的掺铒硅基纳米材料具有重要的实际意义.
关键词:
Si基纳米材料
,
Er掺杂
,
能量转移
,
发光效率
张守超
,
阮永丰
,
王友发
,
吴周礼
,
王帅
,
贾国治
中国稀土学报
采用中频感应提拉法生长了高质量的掺铈钒酸钇( Ce:YVO4)晶体,其中Ce3+离子的浓度为1.0％(原子分数).对于加工好的晶体薄片分别在中性气氛Ar和还原性气氛H2中不同温度下进行了退火处理.对退火后的样品进行了吸收光谱和荧光光谱的测量.中性Ar中退火对晶体发光效率提高没有作用,H2退火后晶体吸收谱发生显著变化,晶体的发光效率大幅提高.发射光谱中400 -600 nm的发射带包含两个发射峰,其中心波长分别在424和469 nm处.并对掺铈钒酸钇晶体作为白光材料的可能性进行了分析.
关键词:
Ce: YVO4
,
退火
,
荧光光谱
,
白光
,
发光效率
,
稀土
袁剑辉
,
王修琼
,
张振华
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.06.016
为改进(La,Ce,Tb)PO4应用特性,采用溶胶沉淀法、增加低温预烧和复烧工艺及采用助熔剂Li2B2O4等方法合成了高效磷酸盐绿色荧光粉(La0.5Ce0.3Tb0.2)PO4,其发光亮度、温度特性和热稳定性均已达到日本(La,Ce,Tb)PO4商用样品标准;平均中心粒径D50仅为4.2μm,且粒度分布状态良好.对其光谱特性和实验结果进行了分析.实验发现:其最佳工艺条件为温度1000℃,时间1.5h,助熔剂选用0.2～0.25mol Li2B2O4.同时,通过适当降低组分Ce3+的引入量,增加低温复烧并引入H3BO3等方法,可有效改善其温度特性,提高热稳定性.
关键词:
溶胶沉淀法
,
(La,Ce,Tb)PO4
,
发光效率
,
应用特性
,
稀土
袁桃利
,
王秀峰
,
牟强
材料导报
负电子亲和势材料具有较窄的禁带宽度、功函数低,在OLED的工作电场强范围内可以发射电子,同时在吸收有机材料所发光子能量后可以产生光电子发射,再次注入有机层,提高了电子注入效率.介绍了负电子亲和势材料的形成,理论上分析了其对有机半导体能级的影响以及如何改善有机电致发光器件中电子注入水平,从而提高发光效率.
关键词:
负电子亲和势
,
功函数
,
发光效率
,
光电子
薛艳菊
,
杜海燕
,
孙家跃
功能材料
以双(2,4,5-三氯-6-正丁烷氧羰基苯基)草酸酯(简称CPPO)和红色荧光剂罗丹明B为研究体系,分别讨论了抑制剂草酸、聚合物添加剂聚苯乙烯以及二者共同作用对过氧草酸酯类体系发光效率的影响.结果表明,加入草酸和聚苯乙烯的复合添加剂后,体系的发光寿命显著延长,发光强度接近于标准体系,发光效率最高.
关键词:
化学发光
,
发光效率
,
草酸
,
聚苯乙烯
曾梦麟
,
周佐华
,
陈康
,
刘为刚
,
徐迪
,
余小明
材料导报
目前蓝宝石衬底氮化镓基发光二极管取得了显著发展,但在通用照明领域中,GaN基LED仍然需要更高的发光效率和光输出功率.提高发光亮度和抑制大电流注入发光效率衰减是当前GaN基LED领域的研究重点.从GaN基LED外延层内部结构即电子发射层、发光复合区量子阱、电子阻挡层方面介绍了近年来提高LED发光亮度和抑制发光效率衰减的最新进展,分析了电子发射层、发光复合区结构、电子阻挡层对LED性能的影响,并展望了其未来的发展趋势.
关键词:
LED
,
GaN
,
发光效率
,
效率衰减
于贵
,
刘云圻
,
朱道本
功能材料
8-羟基喹啉铝(Alq3)是一种非常重要的电致发光材料.无论是从基础理论研究的观点来看,还是就其应用价值而言.均引起了人们的极大关注.本文综述了A1q3的老化机理,分析了影响Alq3老化的主要因素,并对防止Alq3老化方法进行了简单介绍.
关键词:
8-羟基喹啉铝
,
老化
,
发光二极管
,
发光效率
,
稳定性
高志翔
,
苗艳勤
,
郝玉英
,
王华
,
许并社
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.05.02
以有机电致磷光器件ITO/NPB/CBP+ Ir(ppy) 3/LiF/A1为研究对象,在该器件中,CBP(4,4'-N,N'-二咔唑联苯)为主体材料,Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱)为磷光掺杂剂,NPB为空穴传输层.然后在参考器件的NPB/CBP+ Ir(ppy)3界面处构建了凹凸结构,制备了一系列凹凸发光层的磷光器件.通过电流密度-电压-亮度曲线、电流效率-电压曲线考察了不同凹凸发光层磷光器件的电致发光性能,并分析了这些器件的界面电荷俘获以及注入电荷动力学.研究结果发现,当凸起个数为3个时,器件的最大电流效率为22 cd/A,与传统结构器件相比提高了26％.电流效率的提高主要归结于以下两个原因:一方面,凹凸结构拓宽了载流子复合界面的面积,从而减弱了三线态激子-三线态激子的淬灭;另一方面,凹凸结构有利于减弱器件的光波导效应,增强器件内部的光耦合输出效率.
关键词:
有机电致发光器件
,
界面
,
磷光材料
,
发光效率
周建安
,
李冬梅
,
桑文斌
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.010
采用微乳液法制备了核壳结构ZnS/CdS纳米微晶.以XRD、TEM表征其结构、粒度和形貌,UV、PL表征其光学性能.制得的纳米微晶近似呈球形,粒径4～5nm.研究了不同CdS壳层厚度的ZnS/CdS纳米微晶的光学性能,PL谱表明壳层CdS的修饰可减少ZnS的表面缺陷,表面态发射和非辐射跃迁减少,带边直接复合发光的几率增大,发光效率大大提高;在壳层CdS达到一定厚度时,PL谱却表现为CdS的特征发射,同时发现核心ZnS对壳层CdS的发光具有增强作用,提出了ZnS/CdS发光机理的能带模型.
关键词:
ZnS/CdS
,
核壳结构纳米微晶
,
带边发射
,
表面态发射
,
发光效率
,
微乳液
