魏全香
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王鹏飞
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任正伟
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贺振宏
材料科学与工程学报
1.55微米波段GaAs基近红外长波长材料在光纤通讯,高频电路和光电集成等领域有潜在的应用价值.本文用分子束外延方法研究了GaAs基异变InAs量子点材料的生长,力图实现在拓展量子点发光波长的同时保持或增加InAs量子点的密度.在实验中,首先优化了In0.15GaAs异变缓冲层的生长,研究了生长温度和退火对减少穿通位错的作用.在此基础上,优化了长波长InAs量子点的生长.最终在GaAs基上获得了温室发光波长在1491rim,半高宽为27.73meV,密度达到4×1010cm-2的InAs量子点.
关键词:
异变
,
InAs量子点
,
分子束外延
,
发光波长
郑冬梅
,
王宗篪
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.04.001
在有效质量近似基础上,考虑强的内建电场效应,变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为-e的离子受主束缚激子(A-,X)的发光波长.结果表明,离子受主束缚激子发光波长强烈依赖于量子点的尺寸(高度和半径)、离子受主杂质的位置和垒中A1含量.随着量子点高度、半径及垒中A1含量的增加,离子受主束缚激子发光波长增大.随着离子受主杂质从量子点左边垒中沿z轴方向移至量子点左边界,发光波长先增大,在量子点的左界面附近达到极大值；随着离子受主杂质在量子点内继续右移,发光波长减小,当杂质位于量子点的右边界附近时光跃迁波长达到极小值；进一步右移离子受主杂质至量子点的右边垒中时,发光波长增大.和自由激子光跃迁波长相比,当离子受主杂质位于量子点中心的左边时,杂质的引入使发光波长增大,当离子受主杂质位于量子点中心的右边时,杂质的引入使发光波长减小.
关键词:
光电子学
,
柱形量子点
,
内建电场
,
离子受主束缚激子
,
发光波长
柴生勇
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.05.005
采用在OLED有机层中夹入与主发光材料不同的发光材料薄层标记发光区域,介绍了复合发光区域位置随电压变化而移动的现象.在以Alq为发光材料的单层器件中夹入0.5 nm厚的红光材料DCJTB层,或在两个位置分别夹入0.5 nm厚的橙光材料QA层和红光材料DCJTB层,研究分析了电压升高时发光颜色的变化.结果表明,复合发光区域位置随电压升高由阳极一侧有机层向阴极方向移动;在有空穴阻挡层BCP层的器件中,在电子传输层与BCP层之间夹入10 nm厚的DCJTB掺杂发光层,研究了不同电压时器件的发光颜色, 发光区域位置在较低的电压范围内被BCP层限定,但发光区域在驱动电压很高时可越过BCP层进入电子传输层.
关键词:
有机电致发光器件
,
发光区域移动
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发光波长
,
驱动电压
