李春彦
,
王锐
,
杨春晖
,
徐衍岭
,
朱崇强
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.023
砷化锗镉,CdGeAs2,是三元的黄铜矿类半导体,具有非常高的非线性光学系数(236pm/V),这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势.长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂.砷化锗镉晶体在5.5μm处存在强吸收使得频率转化的效率非常低,此吸收是晶体内存在大量受体缺陷造成的.本文对晶体生长的几种方法和红外吸收进行论述,并提出掺杂予体的方法降低红外吸收.
关键词:
砷化锗镉
,
开裂
,
受体缺陷
,
生长
