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文尚胜 , 范广涵 , 廖常俊 , 刘颂豪
量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.03.020
根据电化学C-V测量AlGaInP外延片获得的载流子浓度深度分布数据,以及其LED外延片封装后的工作电压,计算了其中N+-N与P+-P两种同型结的接触电势差,指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响LED工作电压的另一大因素,并提出了进一步降低LED工作电压的有效措施.
关键词: 调制掺杂 , 同型结 , 接触电势差 , 高亮度发光二极管
纪世阳 , 李牧菊 , 杨柏梁
液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.02.008
采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流， 同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果， 使漏极电流降低到10-11A量级， 晶体管的开关电流比值达到106量级。 模拟研究掺杂区浓度和宽度与多晶硅薄膜晶体管开关电流比的变化关系。
关键词: 轻掺杂 , 多晶硅薄膜晶体管 , 同型结 , 热电子 , 漏电流
