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Yb∶YAG晶体的生长缺陷及位错走向

杨培志 , 邓佩珍 , 殷之文 , 田玉莲

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.021

用同步辐射透射白光形貌相和应力双折射法研究了沿<111>方向生长的Yb∶YAG晶体的生长缺陷、晶体中的位错起源和走向.Yb∶YAG晶体中的生长缺陷主要有:生长条纹、核心和位错等.晶体中的位错主要起源于籽晶、杂质粒子以及生长初期的晶种和固液界面处位错成核.位错的走向垂直于生长界面,符合能量最低原理.采用凸界面生长工艺可以有效的消除晶体中的位错.

关键词: Yb∶YAG晶体 , 生长缺陷 , 同步辐射形貌相 , 应力双折射 , 位错走向