牟其善
,
刘希玲
,
李可
,
官文栎
,
程传福
,
马长勤
,
王绪宁
,
路庆明
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.04.012
利用原子力显微镜,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错.首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息,如发现铁电畴的明区要高于暗区,且两者的粗糙度明显不同.这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径.
关键词:
KTiOAsO4晶体
,
原子力显微镜
,
同步辐射X射线形貌像
,
铁电畴
,
位错
