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4H-SiC衬底表面SiC薄膜的同质外延生长

刘忠良 , 康朝阳 , 唐军 , 徐彭寿

人工晶体学报

以4H-SiC为衬底,在不同衬底温度下进行SiC薄膜的同质外延生长.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜( SEM)、拉曼(Raman)等测试手段,对生长样品的结构和结晶质量进行了表征.根据测试结果发现,在衬底温度为1200℃时能够得到质量较高的薄膜,在另外两个温度(1100℃和1300℃)条件下得到的薄膜质量是较差的.

关键词: 碳化硅薄膜 , 同源分子束外延 , 碳化硅衬底