孙孪鸿
,
徐家跃
,
邹军
,
王凤超
硅酸盐通报
在传统的衬底上生长出的GaN都是沿着极性轴c轴方向的,非极性GaN薄膜克服了极性薄膜中因为产生内建电场而带来的发光效率和结晶质量的问题.本文主要介绍了非极性GaN薄膜的结构特性、薄膜的制备方法、不同衬底上生长非极性GaN薄膜的研究进展及其器件应用.
关键词:
非极性GaN
,
蓝宝石
,
同质外延
,
GaN基器件
许岗
,
谷智
,
魏淑敏
功能材料与器件学报
为提高HgI2晶体气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从DSMO-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2外延衬底,进而在外延衬底上气相沉积HgI2多晶薄膜并制备了相应的探测器.利用SEM、XRD分析了薄膜的定向生长特性；以241 Am为放射源,在室温下测试了探测器的探测效率.
关键词:
碘化汞
,
多晶薄膜
,
同质外延
,
定向生长
,
探测器
郭太波
,
陈翌庆
,
张新华
,
刘利柱
材料研究学报
用无催化碳热还原法合成了大量三维分级的In2O3亚微/纳米结构,用XRD、SEM、TEM和EDS等手段对In2O3纳米棒的形貌、成分和结构进行了表征.结果表明:In2O3纳米棒为具有体心立方结构单晶,沿着<100>和<111>方向外延生长,属于自组装和气固外延生长机制.同质外延生长的分级结构是"二次成核"和气固生长协同作用造成的.In2O3纳米棒的室温光致发光的发光峰位于386和435 nm,属于紫外发光和蓝光发光,分别起源于近带边发射和光生空穴与占据单离子氧空位的电子之间的复合.
关键词:
无机非金属材料
,
氧化铟
,
纳米结构
,
分级
,
同质外延
朱明星
,
石彪
,
陈义
,
刘学超
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11577
研究了生长温度为1400℃时4H-SiC同质外延膜的生长速率、表面形貌及缺陷.拉曼表征并结合KOH腐蚀表明外延膜中未出现3C-SiC多晶,为单一的4H-SiC晶型.通过KOH腐蚀发现,低生长速率和高C/Si比有利于衬底表面的基平面位错(BPDs)转变成露头刃位错(TEDs).在高生长速率下,外延膜的表面三角形缺陷和位错密度会显著增加.通过引入界面层,可以实现生长初期的平滑过渡,极大地降低高生长速率下外延膜的缺陷密度.
关键词:
碳化硅
,
同质外延
,
结晶缺陷
,
表面形貌缺陷
毛开礼
,
王英民
,
李斌
,
赵高扬
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.024
10 kV以上高压功率器件的应用提出了高质量快速4H-SiC 外延生长工艺要求.4°4H-SiC 厚膜外延生长时,对于器件制备不利的三角缺陷和台阶聚并是常见问题,使用 HCl气体作为含Cl化合物,研究了不同刻蚀工艺、不同刻蚀温度对于4H-SiC外延层质量的影响.采用1620℃ HCl气体刻蚀衬底5 min,1600℃外延生长的工艺,可以有效降低三角缺陷数量,同时避免台阶聚并的形成.通过刻蚀工艺,以平均55．2μm/h 的外延速率生长了平均55．2μm厚的高质量4H-SiC外延层,三角缺陷数量＜1个/cm2,表面粗糙度0．167 nm.
关键词:
同质外延
,
氯化氢
,
快速外延
,
刻蚀工艺
严垒
,
马志斌
,
曹为
,
吴超
,
高攀
,
张田田
人工晶体学报
在自主研发的小功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置上利用高温高压(HPHT)单晶金刚石片为衬底进行了金刚石同质外延生长的研究.研究了甲烷浓度、工作气压对金刚石生长速率的影响.测量了金刚石外延 生长过程中等离子体的发射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM)和数码相机对生长前后金刚石的形貌进行了表征,利用激光拉曼光谱对金刚石的质量进行了分析.结果表明:一定程度内,适当升高工作气压和甲烷浓度能够有效提高金刚石的生长速率;在外延生长过程会产生过多的丘状体,导致许多金刚石颗粒的产生,影响其生长时间和质量,通过生长、刻蚀相结合的方法能够有效延长生长时间,改善生长形貌;外延生长出的金刚石的激光拉曼图谱中金刚石1332 cm-1特征峰明显、尖锐,荧光背底低,非金刚石相特征峰较低.
关键词:
高温高压
,
金刚石单晶
,
同质外延
李亮
,
李忠辉
,
罗伟科
,
董逊
,
彭大青
,
张东国
人工晶体学报
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜.X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5nm,其位错密度低于106 cm3.
关键词:
GaN薄膜
,
MOCVD
,
同质外延
满卫东
,
谢鹏
,
吴宇琼
,
孙蕾
,
汪建华
人工晶体学报
用微波等离子体化学气相沉积法同质外延生长了有缺陷的金刚石颗粒.在同质外延之前,研究了温度因素对金刚石生长表面形貌的影响,研究表明适宜金刚石同质外延的温度范围非常窄,在1030℃左右;温度低于920℃,大尺寸的金刚石单晶颗粒就很难得到,二次形核现象变的很严重.在实验得出的优化温度条件下,对表面有缺陷的天然金刚石进行了同质外延生长,用扫描电子显微镜(SEM)观察发现,原来金刚石表面的裂缝被修复,外延生长速率达到10.3μm/h.
关键词:
同质外延
,
金刚石
,
微波等离子体化学气相沉积
陈一峰
,
刘兴钊
,
邓新武
材料导报
碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力.以CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,采用化学气相沉积法,利用气-液-固(VLS)生长机理,同质外延6H-SiC薄膜.结果表明,VLS机制能在外延薄膜的表面有效地封闭微管,但是由于n(C)/n(Si)较大,薄膜表面存在大量的台阶.为了进一步改善薄膜表面形貌,采用"两步法"工艺外延SiC薄膜,在封闭微管的同时提高了表面平整度,得到了质量较好的6H-SiC外延薄膜.
关键词:
6H-SiC
,
同质外延
,
气-液-固生长机理
严垒
,
马志斌
,
陈林
,
付秋明
,
吴超
,
高攀
新型炭材料
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在高温高压(HPHT)下制备的单晶片上进行单晶金刚石同质外延生长,研究了甲烷浓度和衬底温度对金刚石生长的影响.利用扫描电子显微镜与激光拉曼光谱仪对生长前后的样品进行表征.结果表明,利用HPHT单晶片上生长时,主要为层状生长和丘状生长模式,丘状生长易出现多晶结构.降低甲烷浓度能够降低丘状生长密度,提高金刚石表面平整度;金刚石生长速率随甲烷浓度、工作气压和衬底温度的增加而提高,但过高的甲烷浓度(72%)和衬底温度(1150℃)会降低金刚石的质量.所生长出的单晶金刚石质量较为理想,衬底与生长层之间过渡比较自然,金刚石结晶度高,缺陷密度小,但随膜层增厚,非晶碳含量有所增加.
关键词:
微波等离子体化学气相沉积
,
同质外延
,
单晶金刚石
