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边继明 , 刘维峰 , 胡礼中 , 梁红伟
无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.01.036
采用超声喷雾热解法在单晶GaAs(100)衬底上生长ZnO同质p-n结.以醋酸锌水溶液为前驱体,分别以醋酸铵和硝酸铟为氮(N)源和铟(In)源,通过氮-铟(N-In)共掺杂沉积p型ZnO薄膜,以未故意掺杂的ZnO薄膜做为n型层获得ZnO基同质p-n结.采用热蒸发工艺在ZnO层和GaAs衬底上分别蒸镀...
关键词: ZnO薄膜 , 同质p-n结 , 电致发光 , 超声喷雾热分解
许小亮 , 杨晓杰 , 付竹西
功能材料
ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段,即p型ZnO和ZnOp-n结的制备与特性研究.由于ZnOO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地施行p型元素的掺杂.本文介绍了目前国际上通用的掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO和ZnOp-n结的特点进行了比较分析,并讨论了目前生长高质...
关键词: ZnO , 同质p-n结 , 激光器件
盛苏 , 方国家 , 袁龙炎
材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.06.020
ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LEDs)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜...
关键词: ZnO薄膜 , p型掺杂 , 同质p-n结
