籍小兵
,
周旗钢
,
刘斌
,
徐继平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.06.011
研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜,薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响,并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察.实验结果表明,随着沉积温度的不断升高.多晶硅晶粒不断长大,晶界减少,多晶硅薄膜应力逐渐降低.吸杂硅片的翘曲度逐渐减小,综合考虑硅片的吸杂效能与弯曲翘曲度控制,650～680℃为多晶硅薄膜最佳沉积温度.
关键词:
沉积温度
,
多晶硅
,
吸杂
,
晶粒
李佳艳
,
游小刚
,
谭毅
,
郭素霞
人工晶体学报
多孔硅吸杂是减少晶体硅中杂质和缺陷,提高太阳能电池转换效率的有效方法.本文采用电化学腐蚀方法在单晶硅片上制备多孔硅.通过观察多孔硅的形貌、孔隙率、多孔层厚度及单晶硅片的电阻率变化,研究不同的腐蚀时间对制备多孔硅的吸杂效果的影响,并分析多孔硅吸杂的机理.结果表明,在J=100 mA/cm2条件下腐蚀时间为30 min、40 min、50 min、60 min吸杂处理后,电阻率均提高,且随着腐蚀时间的增加,电阻率相应增加,与多孔硅的形貌、孔隙率和多孔层厚度的变化趋势一致.多孔硅形成伴随弹性机械应力出现,随腐蚀时间增加,应力增加,晶格常数相应增加,这都有利于缺陷和金属杂质在多孔硅层-基底界面处迁移和富集,导致单晶硅吸杂后电阻率增大.
关键词:
多孔硅
,
电化学腐蚀
,
吸杂
,
电阻率
李毕武
,
黄强
,
刘振淮
,
黄振飞
,
陈雪
,
张志强
人工晶体学报
由于铸造多晶硅生长工艺特点,硅晶体自发成核以(111)晶向为主,同时Fe杂质的分布在铸锭的头部和尾部高、中间低;硅片少子寿命呈现头部和尾部低、中间高的分布趋势.大量杂质分布使得晶锭底部和顶部的材料难以通过后续吸杂和钝化工艺来改善少子寿命.本文通过特殊的铸锭诱导吸杂技术,诱导产生较强的(220)晶向,有效的减低铸锭,头部和尾部Fe的含馈(其中头部和尾部分别降低了16.6%和22.0%),硅片头部和尾部分别提高了41.9%和11.9%.
关键词:
铸锭多晶
,
少子寿命
,
杂质
,
吸杂
吴洪军
,
陈秀华
,
马文会
,
梅向阳
,
蒋咏
材料导报
综述了几类主要的太阳电池用多晶硅及其吸杂研究现状.评述了当前太阳电池领域涉及到的几类多晶硅如铸造多晶硅、冶金法多晶硅、西门子法多晶硅等的优缺点.详细描述了多晶硅的吸杂类型、吸杂过程、吸杂影响因素等.给出了本课题组关于冶金法多晶硅吸杂实验的一些初步研究结果.展望了多晶硅及其吸杂技术的发展.
关键词:
多晶硅
,
太阳电池
,
吸杂
