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高电子迁移率晶体管太赫兹探测器特性

王立敏

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.010

计算了外加太赫兹(THz)辐射下高电子迁移晶体管(HEMT)的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系.结果表明,随着栅下沟道长度的增大,导纳和响应率的峰出现红移,同时高度有所下降;随着栅电压的增大,导纳和响应率的峰出现蓝移,并且高度有所上升.这些研究在太赫兹等离子探测器的设计上有着重要的作用.

关键词: HEMT , terahertz , 导纳 , 响应率