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Ga杂质分布对晶体管V-I特性的影响

裴素华 , 黄萍 , 程文雍

稀有金属材料与工程

利用低浓度掺杂-结深推移-高浓度掺杂设计方法形成Ga基区,制备出NPN晶体管样品.实验结果与理论分析表明:Ga的线性缓变分布和SiO2薄膜覆盖下的扩散,大幅度提高了器件耐压水平与综合电学性能;IC-VCE中的负阻效应是由Ga原子表面浓度经二次氧化变为耗尽状态所致,对此,可采用Si3N4/SiO2/Si复合结构加以改善;总之,开管扩镓是一种制备高压器件不可比拟的新途径.

关键词: Ga , 浓度梯度 , SiO2 , 器件耐压 , 负阻效应