王跃
,
李全保
,
韩庆林
,
马庆华
,
宋炳文
,
介万奇
,
周尧和
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.010
为选择合理的晶体生长速度,在用改进Bridgman法生长直径为φ19mm的HgCdTe(x=0.21)晶体过程中,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火,以观察其固液界面形态.初步的实验结果表明:在2mm/d及9mm/d的两种生长速度条件下,石英安瓶中的固液界面形态均为凹形抛物面,但其凹陷深度分别为10mm和14mm.较低的晶体生长速度条件下,凹陷深度较小,固液界面形态较平.由实验和讨论得知,宜选择较低的晶体生长速度用改进Bridgman法生长HgCdTe晶体.
关键词:
布里奇曼法
,
HgCdTe晶体
,
晶体生长速度
,
固液界面形态
,
凹陷深度
姜雷
,
刘丁
,
赵跃
,
刘志尚
人工晶体学报
固液界面形态是各种晶体生长研究的关键,固液界面形态问题是—个移动边界问题.然而在Cz-Si系统中,移动边界问题又与对流耦合,尤其是与晶体旋转所引起的强迫对流直接耦合,构成了含有第三方耦合因素的移动边界问题.本文提出一种基于FVM的迭代法解决此问题,对多流耦合环境下的固液界面形态进行了仿真和研究,分析了晶体旋转对界面形态的影响.最终将仿真结果与采用快速提离法在实践中获得的界面形态进行对比,取得了一致性.
关键词:
直拉硅单晶
,
固液界面形态
,
迭代法
,
移动边界
