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改善聚酰亚胺薄膜表面质量的制造技术

阐述了气泡、粘度均一性、杂质等因素对聚酰亚胺薄膜（PIF）表面质量的影响，分析了在聚酰胺酸树脂制造过程中造成最终PIF产品表面质量较差的原因，并提出了相应的改进制造技术。

关键词: 聚酰胺酸树脂 , 表面质量 , 气泡 , 消除 , 均一性 , 制造技术

碱性镀锌镀层厚度均一性的研究

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2009.12.003

采用霍尔槽试验对碱性镀锌镀层厚度均一性的影响因素进行了研究.通过改善阴极电流分布、适当提高阴极电流密度、控制ρ(NaOH)与ρ(Zn2+)的比值、提高氢氧化钠质量浓度、降低锌离子质量浓度、控制镀液温度、提高RZ-5101A稳定剂的质量浓度和降低RZ-5101T净化剂的质量浓度均可提高镀层厚度均一性.改善碱性镀锌镀层厚度均一性的实质是通过控制镀液组成及工艺条件,降低阴极高电流密度区电流效率同时提高低电流密度区电流效率而达到的.

关键词: 碱性镀锌 , 镀层厚度 , 均一性 , 电流效率

热蒸发快速氧化法制备四枝杈纳米氧化锌

王万君 , 张艳 , 吴海霞

人工晶体学报

以zn粉为原料,采用高温热蒸发快速氧化法制备四枝杈纳米氧化锌(T-ZnO).考察了反应温度、氧气流速及氮气流速对T-ZnO的产率及形貌的影响,利用SEM、EDS、XRD、HRTEM及SAED分析试样的微观形貌及成分.研究结果表明,在900℃、氧气流速为80 sccm、氮气流速为300 sccm的条件下,可制备出均一的、产率高达80%具有六方纤锌矿结构的高品质T-ZnO.

关键词: T-ZnO , 产率 , 微观形貌 , 均一性

TFT 光刻 DICD 均一性改善优化

张玉虎 , 岳浩 , 王军帽 , 李亚文

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163110.0929

为了对 TFT((Thin Film Transistor)光刻 DICD(Develop Inspection Critical Dimension)均一性进行改善,分析了光刻 DICD 存在差异性的原因,并建立了改善循环流程。对循环流程改善原理及方法进行说明。首先,根据处于光刻系统最佳焦平面位置光刻胶吸收光强最大,DICD 最小(DICDmin )原则,提出了调整光刻平面,使其与系统最佳焦平面趋势一致,可减小 DICD 差异性。接着,计算出各光刻区域与最佳焦平面位置处的 DICD 差值(DICD-DICDmin ),并通过结合光刻区域台板平坦度,判断 DICD-DICDmin 各差值的正负性。然后,采用最小二乘法对光刻区域 DICD-DICDmin 进行平面方程拟合,该平面即为光刻趋势平面,并反映了光刻平面与光刻系统最佳焦平面的差异。最后,以此平面方程作为光刻机台板高度调整平面方程,并对光刻区域台板高度进行调整,从而使得实际光刻平面趋于系统最佳焦平面。结果表明：该方法连续实验3次,DICD 均一性可改善30％以上。

关键词: DICD , 最佳焦平面 , 平坦度 , 均一性 , 最小二乘法

湿法刻蚀FI CD均一性的影响因素及提高刻蚀均一性的研究

范学丽 , 靖瑞宽 , 翁超 , 陈启省 , 王晏酩 , 肖红玺 , 刘还平

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163101.0067

随着高分辨率产品导入,TFT-LCD阵列段各项参数范围越来越小,工艺要求更为严格,为了更好地管控湿法刻蚀各项参数,本文以湿法刻蚀FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影响因素及如何提高FI CD均一性为目的进行研究.首先,通过对湿法刻蚀设备参数(主要包括刻蚀液温度、流量、压力、浓度、Nozzle Sliding、Oscillation Speed、刻蚀时间等)进行试验,验证各项参数对FI CD均一性的影响.其次,对沉积工序、曝光工序以及产品设计等进行试验,获悉影响因素并进行改善.通过对湿法刻蚀设备自身参数的调整,如减少设备温度、流量、压力波动,使参数保持相对稳定状态,可有效改善湿法刻蚀FI CD均一性,FI CD的均一性可从1.0降低至0.5.通过对湿法刻蚀设备参数进行试验并做相应调整,湿法刻蚀FI CD均一性改善效果显著.

关键词: TFT-LCD , 湿法刻蚀 , FI CD , 均一性

TFT 有源层刻蚀均一性和电学性质的研究

王守坤 , 袁剑峰 , 郭总杰 , 郭会斌 , 刘杰 , 郑云友 , 贠向南 , 李升玄 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153005.0801

对 TFT 制作工艺中,TFT 有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有源层的刻蚀功率,气体比例及刻蚀压强对有源层的刻蚀均一性都有较大影响,并会影响TFT 电学特性的均一性。通过适当降低刻蚀功率及反应气体 SF6/Cl2的比例,同时,降低反应压强,可以改善有源层刻蚀的均一性。从而,TFT 电学特性的均匀性得到优化。

关键词: 薄膜晶体管 , 加强型阴极耦合等离子体 , 有源层 , 非晶硅膜 , 均一性

排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si 均一性的影响

张立祥 , 王海涛 , 王尤海 , 夏庆峰

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163112.1112

本文对在等离子体刻蚀工艺中,功率、压强、气体比例重要参数对 a-Si 刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD 成膜、RIE 等离子体刻蚀,并通过台阶仪和光谱膜厚测定仪对膜厚进行表征。结果表明压强在10~15 Pa,功率在5500~6500 W 的参数区间,a-Si 刻蚀均一性波动不大,适合工业化生产。a-Si 刻蚀速率及刻蚀均一性对气体比例较为敏感,SF6∶HCl＝800∶2800 mL/min 时 a-Si 刻蚀均一性为最佳。四角排气方式对维持等离子体浓度作用明显,有利于刻蚀均一性的提升。四周排气方式会破坏等离子体浓度进而破坏 a-Si 刻蚀的均一性。

关键词: 等离子体刻蚀 , a-Si , 均一性 , 排气方式