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紊流模型模拟分析旋转对提拉大直径单晶硅的影响

宇慧平 , 隋允康 , 张峰翊 , 常新安 , 安国平

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.032

本文采用紊流模型对提拉大直径单晶硅时,对晶体旋转、坩埚旋转及二者共同作用三种情况下,熔体内的流线、等温线、氧的浓度分布、紊流粘性系数、紊动能等作了数值模拟,发现晶体的旋转能提高氧的径向均匀性,紊流粘性系数和紊动能随着坩埚转速的提高先增加后下降.晶体坩埚同时旋转时并不能有效降低紊流粘性系数,但能使子午面上的流动受到抑制,等温线更为平坦,有利于晶体生长.

关键词: 直拉单晶硅 , 紊流模型 , 晶体旋转 , 坩埚旋转

GaSe晶体的掺S生长及性能研究

黄昌保 , 倪友保 , 吴海信 , 王振友 , 肖瑞春 , 戚鸣

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150032

当生长掺S的GaSe单晶时，熔体的强烈对流和溶质扩散使得生长出大尺寸的晶体较为困难。本实验采用改进的Bridgman炉，并结合坩埚旋转技术，成功生长出了较大尺寸的GaSe0.89S0.11单晶体(f20×60 mm3)。采用X射线粉末衍射仪、能谱仪、纳米压痕仪和傅里叶红外光谱仪测量其结构、成分、机械和光学性质。测试结果表明，质量分数为2.38%的 S掺杂的GaSe晶体(GaSe0.89S0.11)没有发生结构相变；它的机械性能得到了明显的改善，同时光学性能也得到了一定的提高。

关键词: GaSe0.89S0.11 , 掺杂 , 改进的Bridgman炉 , 坩埚旋转

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