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坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体

赵北君 , 朱世富 , 李正辉 , 傅师申 , 于丰亮 , 李奇峰

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.003

本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法--熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法.5~6N高纯Ag、Ga、Se单质按AgGaSe2化学配比富0.5%Se配料,1100℃下合成并在熔点附近进行温度振荡,获得了高纯单相致密的AgGaSe2多晶材料.用合成的多晶为原料,采用坩埚旋转下降法生长出φ22×80mm的AgGaSe2单晶锭.晶体外观完整,在10.6μm附近红外透过率达62.4%,吸收系数低于0.01cm-1,对10.6μm CO2激光实现倍频,能量转换效率达12%.

关键词: 非线性光学晶体 , 硒镓银 , 多晶合成 , 单晶生长 , 熔体温度振荡 , 坩埚旋转下降法

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