栾丽君
,
介万奇
稀有金属材料与工程
室温下测量了本实验室生长的Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.9Mn0.1Te单晶体的法拉第旋转谱.通过提高布里渊区中心L点的能隙值(E1)改进了法拉第旋转的多振子模型.用改进的模型拟合实验结果,得到Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.9Mn0.1Te单晶体布里渊区中心F点的能隙值(E0)分别为1.804 eV和1.667 eV.该E0值比以往任何研究都更接近于计算值.
关键词:
法拉第旋转
,
Cd1-xMnxTe
,
改进的多振子模型
,
垂直布里奇曼法
王立苗
,
赵北君
,
朱世富
,
唐世红
,
何知宇
,
肖怀安
人工晶体学报
Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景.本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30 ℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体.生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析,显示出(200)晶面尖锐的X射线衍射峰和规则的方形蚀坑,表明生长的晶体结构完整.
关键词:
铜
,
单晶生长
,
垂直布里奇曼法
,
蚀坑观察
赵欣
材料导报
PbI2 单晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料.主要介绍了PbI2 晶体生长技术及其室温核辐射探测器研究发展的最新动态,综述了PbI2 晶体的3种主要生长方法(气相法、熔体法和凝胶法)的原理和优缺点,重点阐述了熔体法生长PbI2 晶体的影响因素及研究进展,提出了PbI2 单晶制备技术存在的主要问题和今后的发展方向.
关键词:
碘化铅晶体
,
室温核辐射探测器
,
生长技术
,
垂直布里奇曼法
赵欣
,
金应荣
,
朱兴华
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.04.024
碘化铅(PbI2)晶体的平均原子序数较高,有较宽的禁带宽度,作为一种新型室温核辐射探测器材料有着广阔前景.以高纯Pb和I2单质为原料,采用两温区气相输运法(TVM)成功合成出单相PbI2多晶原料,并以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长了3种不同颜色的PbI2单晶体.研究表明:晶体生长工艺参数对晶体的质量有重要影响,适当调整温度场和安瓿在生长炉中的位置,可有效地避免或减轻晶体富碘现象,从而生长出优质的黄色PbI2单晶体.
关键词:
碘化铅
,
气相输运法
,
垂直布里奇曼法
,
多晶体
,
单晶体生长
王领航
,
董阳春
,
介万奇
功能材料
利用垂直Bridgman法生长了HgInTe单晶体,并采用X射线衍射分析、FT-IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测,结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体,其在400～4000cm-1范围内的红外透过性能较好,达到50%～55%,晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的.
关键词:
HgInTe
,
晶体生长
,
垂直布里奇曼法
,
光电半导体材料
,
近红外探测器
沈萍
,
张继军
,
王林军
,
沈敏
,
梁巍
,
孟华
人工晶体学报
采用垂直布里奇曼法(VB)生长CdMnTe晶体,由于生长温度高、堆垛层错能低、热应力大等因素,晶体中存在大量孪晶、杂质、夹杂相等,限制其在核辐射探测器方面的应用.为了提高晶体的质量,本文采用移动加热器法(travelling heater method,THM)生长CdMnTe晶体,对该方法生长的晶体中Mn的轴向分布、杂质浓度、Te夹杂和电学性能进行测试分析,并与VB法生长的晶体作对比.结果表明THM法生长的CdMnTe晶体中Mn的轴向分布均匀,杂质浓度低于VB法制得的晶体,Te夹杂的尺寸5～25 μm,浓度105 cm-3,电阻率为109～1010Ω·cm,导电类型为弱n型,制备的探测器在室温下对241Am放射源有能谱响应.实验表明THM法生长的CMT晶体在晶体质量和电学性能方面明显优于VB法.
关键词:
CdMnTe
,
移动加热器法
,
垂直布里奇曼法
,
Te夹杂
,
电学性能
于鹏飞
,
朱世富
,
赵北君
,
陈宝军
,
何知宇
,
樊龙
人工晶体学报
采用改进的垂直布里奇曼(Bridgman)法自发成核生长AgGaS2晶体,在生长初期对生长安瓿籽晶袋进行上提回熔,生长出外观完整、无裂纹的大尺寸AgCaS2单晶体.采用XRD对晶体进行分析,获得了(112)、(001)和(101)面的高强度尖锐衍射峰.采用不同配比的腐蚀剂对晶体(101)、(112)及(001)晶面进行化学腐蚀,然后采用金相显微镜和扫描电镜观察,结果显示,(101)晶面蚀坑为清晰的近似三角形的四边形蚀坑,(112)晶面蚀坑为清晰的近似三角锥形,(001)晶面则呈现互相垂直的腐蚀线.初步分析了不同蚀坑的形成原因,计算出(101)和(112)面蚀坑密度约为105/cm2数量级.结果表明,改进方法生长出的大尺寸AgGaS2单晶体结构完整、位错密度低,质量较好.
关键词:
AgGaS2晶体
,
垂直布里奇曼法
,
化学腐蚀
,
蚀坑形貌
王新鹏
,
孙晓燕
,
介万奇
,
罗林
,
王涛
,
傅莉
功能材料
采用垂直布里奇曼法,成功生长出大直径Hg3In2Te6(θ=30mm)晶体.通过傅立叶红外透射光谱测试了晶锭不同部位的红外透过率,并利用X射线双晶摇摆曲线表征了晶体的结晶质量.结果表明,定向切割晶片为(111)面单晶,衍射峰位于θ=12.1665°处,半峰宽为0.0760°;中部单晶片红外透过率平均值为50%,接近Hg3In2Te6晶体的红外透过率最大值57%.位错和成分非均匀性是造成晶锭不同部位红外透过率差异的主要因素.
关键词:
Hg3In2Te6
,
大直径晶体生长
,
垂直布里奇曼法
,
摇摆曲线
,
红外透射光谱
雷作涛
,
朱崇强
,
宋梁成
,
姚宝权
,
杨春晖
人工晶体学报
在高纯ZnGeP2多晶批量合成基础上,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸φ(40～50) mm× 140 mm的高品质单晶.切割出多种6mm×6mm×(16～30) mm规格的晶体元件,元件o偏振光2.05 μm吸收系数为0.01～0.03cm-1,通过光参量振荡技术实现中波(3～5μm)40W和远波(8～10 μmn)3W的激光输出.
关键词:
ZnGeP2晶体
,
垂直布里奇曼法
,
元件
,
光参量振荡
李万万
,
桑文斌
,
闵嘉华
,
郁芳
,
张斌
,
王昆黍
,
曹泽淳
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.003
在垂直布里奇曼法(VBM)晶体生长的过程中,坩埚下降速度和晶体生长速度之间的关系对生长出来的晶体质量有很大的影响.本文采用有限元法对探测器材料CdZnTe的晶体 生长过程进行了热分析,主要研究了不同的坩埚下降速度对生长过程中晶体生长速度及固液界面形状的影响,发现材料的热导率和相变潜热的比值是影响固液界面形状的主要内因.模拟结果表明,当坩埚下降速度Vp≈1mm/h时,其数值与晶体生长速度接近相等,可获得接近水平的固-液界面.实际的晶体生长实验结果与计算机模拟的结论基本一致.因此,通过适当的选择和调节坩埚下降速度是获得高质量晶体的可行技术方案.
关键词:
CdZnTe
,
垂直布里奇曼法
,
有限元法
,
实验研究
