刘爱萍
,
朱嘉琦
,
唐为华
,
李超荣
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2009.00538
采用过滤阴极真空电弧技术以PH_3为掺杂源,施加0-200 V基底负偏压,制备了掺磷四面体非晶碳(tar-C:P)薄膜.利用X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱研究ta-C:P薄膜的微观结构,通过测定变温电导率和电流-电压曲线,考察ta-C:P薄膜的导电行为.结果表明,磷掺入增加了薄膜中sp~2杂化碳原子含量和定域电子π/π~*态的数量,提高了薄膜的导电能力,且以-80 V得到的ta-C:P薄膜导电性能最好.在293-573 K范围内ta-C:P薄膜中的载流子表现出跳跃式传导和热激活传导两种导电机制.电流-电压实验证明ta-C:P薄膜为n型半导体材料.
关键词:
掺磷
,
四面体非晶碳
,
基底偏压
,
电导率
,
导电机制
