王治国
,
祖小涛
,
封向东
,
余华军
,
傅永庆
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2006.04.014
利用磁控溅射的方法在单晶Si和非晶SiO2基片上制备了TiNi和TiNiCu形状记忆合金薄膜,并利用示差扫描量热法和基片曲率法研究了薄膜的相变特征及应力随温度的变化.研究结果表明450℃溅射形成的记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应,在微电子机械系统有很好的应用前景.TiNi薄膜降温时出现R相变,因而发生两步相变,而TiNiCu薄膜中马氏体和奥氏体间直接转变.基片以及薄膜成份对相变点有很大的影响.单晶Si片作为基片时,记忆合金薄膜和基片间有很好的结合力,而SiO2作为基片时,记忆合金薄膜容易剥落.
关键词:
TiNi基形状记忆合金薄膜
,
相变特征
,
示差扫描量热法(DSC)
,
基片曲率法
张哲浩
,
吕建国
,
江庆军
,
叶志镇
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.03.002
在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜.通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力.提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力.研究表明随着薄膜厚度的增加,外应力可以得到充分释放.而溅射功率的变化可以改变GZO薄膜的应力和晶粒尺寸.研究表明溅射功率在140W的条件下制备的厚度225nm薄膜具有最大的晶粒尺寸和最小的压缩应力.结果表明改变溅射参数,比如溅射功率和薄膜厚度,GZO薄膜能够有效地释放应力.
关键词:
ZnO∶Ga薄膜
,
应力
,
基片曲率法
,
直流磁控溅射
,
有机衬底
李松
,
张同俊
,
安兵
材料导报
随着微电子封装领域中合金的使用,润湿性问题已成为封装可靠料学、材料物理、测试科学技术等基础研究领域.综述了目前合金润湿性的常用测量方法,着重介绍了润湿平衡法,最后利用基片曲率法,提出一种新的光学方法来实时测量合金润湿性.
关键词:
润湿
,
合金
,
基片曲率法
安兵
,
张同俊
,
袁超
,
崔昆
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2003.07.006
采用基片曲率法设计和制作了一种测量薄膜应力的装置,它具有简单、无损伤、快速、易于操作、精度高的优点.使用该装置测量了射频磁控溅射镀制的Cu单层膜和Ag/Cu多层膜的应力,结果表明薄膜残余应力是均匀的,但随沉积条件不同而不同.Cu单层膜和Ag/Cu多层膜处于压应力状态,外加-200 V偏压时,Ag/Cu多层膜则转变为很小的拉应力状态.XRD表明Ag/Cu多层膜已结晶,呈现Ag(111)/Cu(111)择优取向.
关键词:
基片曲率法
,
薄膜
,
残余应力
李松
,
张同俊
,
安兵
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.021
利用多层膜零蠕变法,直接测量 Si( 111)单晶片上沉积的 Ag/Ni多层膜界面自由能.通过基 片曲率法实时测量 Ag/Ni多层膜升温退火过程中的应力变化,在 450°C保温,发现此时多层膜达到 平衡状态,最终的平衡应力为 0.57MPa, 计算出 Ag/Ni的界面自由能γ int为 0.63 J/m2, 最后结合 XRD测试结果和 SEM剖面形貌,从界面能角度对多层膜的稳定性进行了分析讨论.
关键词:
基片曲率法
,
多层膜
,
界面自由能
