吴兆丰
,
吴广明
,
姚兰芳
,
沈军
,
刘枫
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.03.024
本文报道了一种新型纳米多孔低介电常数薄膜的制备方法.以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,正硅酸乙酯为硅源,盐酸为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,通过提拉法制备了二氧化硅透明介孔薄膜.用红外光谱、小角XRD、原子力显微镜对样品进行了表征,并采用椭偏仪和阻抗分析仪测量薄膜的折射率和介电常数.通过调节表面活性剂浓度和老化时间等实验条件制备出了K＜2.5、机械强度好的低介电常数薄膜.
关键词:
溶胶-凝胶技术
,
介电常数
,
多孔氧化硅
,
薄膜
雷博
,
刘卫丽
硅酸盐通报
本文通过液晶模板法制备核壳型多孔二氧化硅,分析了多孔氧化硅在纳米颗粒表面的包覆特性.探究了表面活性剂与硅源的摩尔比(CTAB/TEOS)对多孔氧化硅壳层生长的影响,从实验上证实了多孔氧化硅壳层生长的最适摩尔浓度比随纳米颗粒尺寸的变化,并从表面活性剂与硅酸盐物种间的协同作用机制出发对此进行了阐释.利用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),N2吸附脱附等分析方法,观察并分析了核壳多孔二氧化硅的形貌以及孔道结构.通过傅里叶变换红外光谱分析(FTIR),分析了多孔氧化硅的结构和组分.
关键词:
多孔氧化硅
,
核壳结构
,
纳米颗粒包覆
,
液晶模板法
赵丽特
,
范东华
,
朱慧群
,
罗坚义
,
王忆
,
龙拥兵
,
文铨
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.12.009
薄膜的表面形貌与生长机理相关，因此可以通过研究薄膜表面形貌的演变来外推其生长机理。利用热蒸发法在硅片上制备了纳米多孔二氧化硅薄膜，利用扫描电镜(SEM)和 X 射线能谱(EDS)对不同样品的形貌、成分进行了表征。研究发现所制备的薄膜是由线状结构或直立的片状结构所构成的多孔结构。利用马拉高尼效应和润湿理论，对薄膜的气-液-固生长机理和氧化物辅助生长机理进行了探讨。
关键词:
薄膜
,
多孔氧化硅
,
纳米线
,
纳米片
,
生长机理
杨沁玉
,
刘磊
,
丁可
,
张菁
,
王庆瑞
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.10.043
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以硅烷为源气体,在玻璃基片上沉积得到多孔的氧化硅薄膜.将反应过程中加在沉积区域的脉冲负偏压固定在-300V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜样品的结构、形貌均不相同.拉曼光谱显示,位于480cm-1附近的峰在低占空比条件下存在,但是当占空比升高到0.702时该峰基本消失.位于560cm-1附近的峰则随着占空比的继续升高而增强,并出现蓝移,这说明薄膜样品中的非晶硅在占空比升高时消失,氧化硅所占比例不断增加,同时颗粒变小.扫描电镜照片也表明,组成多孔氧化硅薄膜的颗粒在占空比增大时变得细腻并且薄膜整体变得蓬松多孔.
关键词:
占空比
,
拉曼光谱
,
多孔氧化硅
钱晴
,
刘君
,
李露晴
,
姚子建
,
马东东
硅酸盐通报
采用溶胶凝胶+超临界干燥法制备了纳米氧化硅气凝胶块体,用KH550和氟硅烷对其进行了表面改性,利用DTA分析了两种改性剂对多孔氧化硅的接枝特性.结果表明,KH550与氟硅烷相比,可与气凝胶表面接枝反应良好,降低表面羟基含量以及对空气中水分的吸附,从而在超临界干燥之后形成结构强度最高的块体.
关键词:
多孔氧化硅
,
差热分析
,
溶胶-凝胶
